氯化硅烷的相对挥发度及分离.pdf

伍　钦等　氯化硅烷的相对挥发度及分离 ·57 · 氯化硅烷的相对挥发度及分离 伍　钦　　蔡梅琳 (华南理工大学化工系, 广州 510641) 研究氯化氢硅精馏分离中相对挥发度随温度的变化关系, 所得表达式与实验数据吻合很好; 导出了三氯化硼三氯氢硅、三氯氢硅四氯化硅二元系汽液平衡关系, 并在给定浓度下用计算机 计算精馏理论板数随回流比的变化关系, 最佳回流比控制在 8 附近。 关键词: 三氯氢硅　四氯化硅　精馏 1　引言 根据相对挥发度的定义 半导体硅由于固有特性好, 硅器件制造工艺 p 1x 1 先进, 原材料来源丰富, 所以当今 90% 以上的半 = p 2x 2 ( 1) 　　对汽液平衡系统 , , 导体元器件和电路是用硅制造, 半导体硅材料已 BC l3 SiHC l3 SiHC l3 SiC l4 成为半导体材料的主体。 假定组成的溶液符合理想溶液, 由R aou lt 定律p 半导体材料的特点是超高纯, 但卤化反应出 = P 0x , 代入式 ( 1) 得 0 [ 1 ] P 1 来的产物是多组分混合物 , 要获得高纯的多晶 = 0 (2) P 2 硅, 用精馏分离制得高纯度氯化氢硅是重要的一 [ 2～ 4 ] 　　液体与蒸汽在一定温度和总压 P 下处于平 环。有关纯物的饱和蒸汽压已有文章发表 , 但 衡时, 可以导出[ 7 ] 数据不全。对于二组分的汽液平衡, V o ro tyn tsev 0 G液 G汽 发表过二氯硅烷与一氯硅烷, 三氯硅烷和四氯化 R lnp = - T T [ 5 ] 硅稀液的汽液平衡数据 。傅雄强用给定温度下 　　在恒定总压下, 上式对 T 微分可以给出在固 的相对挥发度讨论了二元系间歇精馏分离的理论