碲和镉材料的SMS相对灵度因子I敏及其规律性.pdf

。 第 真 空 科 学 与 技 术 1998年12月 VACUUM SCIENCEANDTECHNOLOGY(CHINA) 177 碲和镉材料 的SIMS相对灵敏度 因子 及其规律性 7A／3 7 张景文 杨得全 )、，范垂祯 词 ．帅 (中国空问技术研究院兰．H『 嚣j 术与物理国家实验室 兰州 0 4 I Secondary IonM assSpectrometryRelativeSensitivityFactor 普 andSystem aticforTellurideandCadm ium ZhangJipgwen，YangDequan，FanChuizhen ． (LanzkouInstituteofPhysics，ChineseAcademyof Spox-eTecknoloKy，Lanzhou，730000) Al~tract InthispaperWemO~ Llredthepositivesecondaryionrrm 8pectro0aletryrelativesectsitJ~tyfactors (SIMS-RSFs)fors．emiconductorTeandmend CA materialsusinguniformlybutk-doped stnadardsamplesof knownimpu6tydensityanditisfoundthattherearegoodeorrdatiortsofpositiveionintensity(oryied【)OrSIMS RSFverN1L％ionizatioapotemia{inCA andTe，jlastlikeW ilmaet(f【sreported resultsinothermateri~ls．The slopes0ftheleas．tsquar~fitLinefortherelationshipofkg口R ～WmforCAandTeare098dec／eVand066 能 } dec．／eV rmpectively． Keywords Seconda~-ionmassspectrometry，Relativemnsitivityfactor，Thefirstioniza— tion potential 碲 摘要 利用 已知浓度的均匀体掺杂半导体碲与金属镉材料作为SIMS 分析的标准样品．测量得到了正 电性杂质元素的相对灵敏度因子 R~qF(m!atives．ensitivity[actors)、发现 了杂质元素相对灵敏度因子 的对数 与相应元素第一电离能 IP(thefirstionizationp enti)之 问成很好的线性关 系。碲 和镉样品的l0g0R ． 撩{ 1 工 旧