EDD5108AGTA-4中文资料(Elpida Memory)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」.pdf

芯片中文手册,看全文,戳easyds.cn 数据表数据表 512M位位DDR SDRAM EDD5108AGTA-4 （（64M字字 × 8位）位） EDD5116AGTA-4 （（32M字字 × 16比特）比特） 技术指标技术指标 特征特征 密度：512M位 双数据速率架构;两次数据传输每 组织 时钟周期 16M话 × 8位 × 4插槽（EDD5108AGTA） 高速数据传输是由2位来实现 预取流水线架构 8M字 × 16位 × 4插槽（EDD5116AGTA） 双向数据选通（DQS）被发送 封装：66引脚塑料TSOP （II） /接收数据,并在接收捕获数据 无铅（符合RoHS） 数据输入,输出和DM与同步 电源：VDD,VDDQ = 2.5V ± 0.125V DQS 数据传输率：500Mbps （最大） DQS是边沿对齐数据进行读写;中央- 四个内部插槽为并发操作 与写入数据对齐 接口：SSTL_2 差分时钟输入（CK和/ CK ） 突发长度（BL）：2,4,8 DLL对齐DQ和DQS转换与CK 突发类型（BT）： 转换 顺序（2,4,8） 命令中输入每个正CK边缘;数据 和数据屏蔽参照DQS两边缘 交织（2,4,8） 数据掩模（DM）写入数据 / CAS延迟（CL）：3 预充电：每个脉冲串自动预充电选项 访问 驱动力：正常/弱 刷新：自动刷新, 自刷新 刷新周期：8192次/ 64ms 平均更新周期：7.8μs 工作环境温度范围