850nm氧化物限制型VCSEL的温度特性.pdf

第 26 卷 　第 5 期 半 　导 　体 　学 　报 Vol . 26 　No . 5 2005 年 5 月 　　 C H IN ESE J OU RNAL O F SEM ICONDU C TOR S 　　May ,2005 850nm 氧化物限制型 VCSEL 的温度特性 张永明　钟景昌　赵英杰 　郝永芹 　李 　林 　王玉霞 　苏 　伟 (长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室 , 长春 　130022) 摘要 : 采用热封闭系统对 850nm 氧化物限制型 V CSEL 的温度特性进行了研究. 实验证实该器件在 80 ℃仍能正常 工作 ,在 20～80 ℃的温度区间内,器件的斜率效率由03mW/ mA 降到 02mW/ mA . 根据阈值电流的温度依赖性得 出 T0 = 350 K ,器件的基模红移为 0 11nm/ mW ,实验确定其热阻为 202 ℃/ mW . 关键词 : 垂直腔面发射激光器 ; 氧化物限制 ; 温度特性 PACC : 4255P 中图分类号 : TN2484 　　　文献标识码 : A 　　　文章编号 : 02534 177 (2005) 系 ,从而得到准确的特征温度 T0 等参数. 1 　引言 以往的装置多以空气为传热介质 ,但由于其热 容量较小 ,很难使被测器件处于均匀稳定的温度场 在光纤数据传输领域 ,850nm V CSEL s 展示了 中 ,且有源区的热平衡温度总要滞后于温控传感器 极其优秀的性能[ 1～4 ] . 尤其对短距离局域网的光纤 温度 ,从而使被测参数偏离实际值较远. 为解决上述 数据传输来说 , 850nm V CSEL 更是首选. 目前 ,对 问题 ,经过热平衡计算 ,确定实验装置结构如图 1 所 于 V CSEL s 中的电势和光场问题[ 5～7 ] 已有了较深入 示 ,其导热介质选择绝缘性好 、热容量大的变压器 的研究. 但是 ,在短波长 、小功率的 V CSEL 中由于 ( 油. 采用 XM T 型数显调节仪配以热电偶控温 精度 使用高热导率散热材料 ,器件的自发热问题一直没 ) 达 ±05 ℃ , XM TD 型数显调节仪配 以热 电阻测 有得到足够的重视. 实践证明 ,V CSEL 无论是作为 温 ,多功能参数测试仪测量输出光功率 、激射波长. 功率源还是作为信号源其热特性研究都至关重要. 器件的温度变化将引起阈值电流 、斜率效率 、最大输 出功率和光谱的变化. 热特性参数是半导体激光器非常重要的指标 , 温度特性的测试尤为重要. 测试温度特性需要在稳 定的热平衡系统中进行 , 目前还没有成型的测试装 置. 本文采用自行设计的热封闭系统研究了 850nm 氧化物限制型 V CSEL 的温度特性 ,得到了一系列 表明V CSEL 热性能的数据. 2 　实验装置 该实验装置的建立是基于 V CSEL 连续工作条 图 1 　实验装置示意图 件下 ,处于一个稳定的温度场中方能得到准确的阈 Fig . 1 　Exp eriment al set up 值电流 、输出光功率和激射波长等与温度的依赖关 兵器工业总公司“十五”支撑资助项 目 　张永明　男 ,1964 年出生 ,博士研究生 ,主要从事半导体激光器件研究. Email :zymciom @126 . com 收到 ,