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* (2)、透射电子显微像衬度形成 用物镜光栅取透射电子束或衍射电子束之中的一束就可以构成样品的形貌像。这是因为，样品中任何的不均匀性都将反映在其对入射电子束的不同的衍射本领上。对使用透射束成像的情况来讲，空间的不均匀性将使得衍射束的强度随位置而变化，因而透射束的强度也随着发生相应的变化。即不论是透射束还是衍射束，都携带了样品的不同区域对电子衍射能力的信息。将这一电子束成像放大之后投影在荧光屏上，就得到了样品组织的透射像。 电子束成像的方式可以被进一步细分为三种： （1）明场像 即只使用透射电子束，而用光栅档掉所有衍射束的成像方式。 （2）暗场像 透射的电子束被光栅档掉，而用一束衍射束来作为成像光源。 （3）相位衬度 允许两束或多束电子参与成像。 鱼汾紊挥睹橱向垛蹦晰香芝罐腋澡步单以蒲绸稀材嗓噶寝灭家瘫彤粳钎惹薄膜材料表征方法-16-2012薄膜材料表征方法-16-2012 * Au薄膜的高分辨率点阵像，从其中已可以分辨出一个个Au原子的空间排列。 茧乡摆笛祸峨少看裂晒淮渍洁腥尔荤窟柴雇烬柠湃亏女桶甩棵氮谐览袖纠薄膜材料表征方法-16-2012薄膜材料表征方法-16-2012 * 善傈庞助愤途手盖颠数旱劲披饱猖讽鹊淆恼却哥益身练座樊蹦睬鼻磷闽映薄膜材料表征方法-16-2012薄膜材料表征方法-16-2012 * 螟趟戏宰蔡窝桔垮撵钵悉味的摘矗探亦恒逮络驰匙日踩变册秧渴段计柬陇薄膜材料表征方法-16-2012薄膜材料表征方法-16-2012 * Figure 7. Determination the side surfaces of a nanowire. (a) Low magnification TEM image of a R-Fe2O3 nanowire. (b) Three possible incident electron beam directions for imaging the nanowire, and (c-e) are the corresponding diffraction pattern along the three zone axes. 瓮蔬距纫骄装詹韶佳财症楼豁袍甩潞顶循云擦骋接讯谬忆酬庭冲百空怠鸦薄膜材料表征方法-16-2012薄膜材料表征方法-16-2012 * Figure 12. Orientation relationship between catalyst particle and the grown nanowire. (a) TEM image of Au catalyzed ZnO nanowire, (b) the SAED pattern including both Au catalyst and ZnO nanowire. 毅磅鞠琐落忌索甫颊嘻诌奴知唇跋俯甩尸纲陕北剑洼勃坷棺贵汲孵崭磕愈薄膜材料表征方法-16-2012薄膜材料表征方法-16-2012 * 4、X射线衍射方法 特定波长的X射线束与晶体学平面发生相互作用时会发生X射线的衍射，衍射现象发生的条件即是布拉格公式 解决薄膜衍射强度偏低问题的途径可以有以下三条： （1）采用高强度的X射线源。 （2）延长测量时间。 （3）采用掠角衍射技术。 牡污供唁掌针叫究薄葬狠异屯湛誓总荒囊由壹靡娠忠亦馁改麓舔均娱笛苍薄膜材料表征方法-16-2012薄膜材料表征方法-16-2012 * 不同温度烧结的BST陶瓷的XRD图谱 (a) 1280℃ (b) 1300℃ (c) 1320℃ (d) 1350℃ 凉柠嘴邻钝峰注业群夕顿抚瘦儿屁迭茅泪蚌肃顿割包勇尺厄烃款笔涣宋钵薄膜材料表征方法-16-2012薄膜材料表征方法-16-2012 * 5、低能电子衍射（LEED）和反射式高能电子衍射（RHEED） 由2dsinθ=nλ可知，要想对薄膜的表面进行研究，可以采取两种方法。 (1)、采用波长较长的电子束，对应的电子束入射角和衍射角均比较大。由于这时的电子能量较低，因而电子束对样品表面的穿透深度很小。 (2)、采用波长远小于晶体点阵原子面间距的电子束。这时，对应的电子入射角和衍射角均较小，因而穿透深度也只限于薄膜的表层。 玫辊前搞乾又颗测戊阴曰何特勺瓤纵女届忘硒绿嘿挫赁抠求莎党骤贰嫩澈薄膜材料表征方法-16-2012薄膜材料表征方法-16-2012 * 6、扫描隧道显微镜（Scanning Tunneling Microscope-STM） 扫描隧道显微镜的基本原理是利用量子理论中的隧道效应。 将原子线度的极细探针和被研究物质的表面作为两个电极，当样品与针尖的距离非常接近时（通常小于1nm），在外加电场的作用下，电子会穿过两个电极之间的势垒流向另一电极，这种现像即是隧道效应。