【2017年整理】功率器件封装工艺解决方案.ppt

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【2017年整理】功率器件封装工艺解决方案

热阻的工艺控制 —测试筛选 晶体管的热阻测试原理: 在一定范围内pn结的正向压降Vbe 的变化与结温度的变化△T有近似线性的关系: △Vbe=k△T 对于硅pn结,k约等于2,热阻的计算公式为: Rth=△T/P 只需加一个稳定的功率,测量晶体管的△Vbe即可计算出晶体管的热阻 RT。 * Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 热阻测试筛选设备的优点 进行热阻测试筛选,我们用的是日本TESEC的△Vbe测试仪 。 * Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 热阻测试筛选设备的优点 △Vbe测试仪的性能参数及优点: 测试精度:0.1mV 脉冲时间精确度:1us 最高电压:200V 最大电流:20A 优点: 1.精度高,且精度高可达到0.1mV,重复性好。 2.筛选率高 * Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 热阻测试筛选设备的优点 优点2:筛选率高 如粘片有空洞,脉冲测试在很短功率脉冲内,由于热量来不及传导,有空洞的地方就会形成一个热点(即温度比粘结面其他地区高出很多的小区域)(如右图示 )。 热点处温度高,Vbe将比其他地方的Vbe变化大。整个pn结的△Vbe将主要受热点处的△Vbe的影响,因此,有空洞的管子的△Vbe比正常管子的△Vbe要大很多。 * Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 我公司产品的热阻特点 通过测量△Vbe,再经过公式 Rth= △Vbe /KP 我公司典型产品值: 品种 封装形式 热阻值 MJE13001 TO-92 6.5℃/W MJE13003BR TO-126 3.5℃/W MJE13005 TO-220 1.3℃/W * Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 控制“虚焊” —造成虚焊的因素与对策措施 因素 技术要求 对策措施 引线材料 抗拉强度、延伸性良好,硬度适中。 1、严格执行公司的原材料进料检验制度。 2、不定期上供应商生产线考察质量体系进行情况。 劈刀 1、劈刀端面平整,与引线形变后尺寸一致。 2、确保劈刀端面有合适的振幅。 1、定期清洗劈刀,保证端面清洁完整。 2、劈刀安装位置准确,高度合适。 芯片铝层质量 铝层不氧化,无划伤,具有一定厚度 加强表面镜检,剔除不合格品。 引线强度不够 不同的线径,规定不同的工艺条件,压力 、功率、时间。 1、在N2保护中压焊。 2、专职检验员,每隔1h巡检一次。 3、引线强度的 -R管理图。 框架管脚质量 1、管脚牢固、平整。 2、管脚锡层光亮平整、不氧化。 3、高温老化后锡层不变色。 1、调整塑封工艺,以达到充分填充。 2、加强浸锡前,管脚处理。 3、老化烘箱采用N2保护。 _ X * Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 至诚至爱,共创未来 SI SEMI. 至诚至爱,共创未来 SI SEMI. 公司功率器件封装工艺 2 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 主要内容

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