【2017年整理】半导体、二级管和三极管.ppt

第1章 常用半导体器件; 导体:ρ小于10-3Ω·cm。 物质按其导电性 绝缘体:ρ大于108Ω·cm。 半导体: ρ介于两者之间。 常用的半导体有硅(Si)和锗(Ge)。 ; 半导体的特性 掺杂特性：在纯净的半导体中掺入某些杂质，其 电阻率大大下降而导电能力显著增强。半导体二极 管、半导体三极管。 热敏特性：半导体的电阻率随着温度的上升而明 显下降，其导电能力增强。热敏电阻。 光敏特性：当受到光照时，半导体的电阻率随着 光照增强而下降，其导电能力增强。光电二极管、 光电三极管。 ;1.1本征半导体 定义：纯净的具有晶体结构的半导体。 晶体结构 晶体中的原子在空间形成排列整齐的点阵，称为 晶格。;本征半导体的共价键结构 两个或多个原子共同使用它们的外层电子，在理 情况下达到电子饱和状态，形成稳定的化学结构叫 共价键。 ;本征半导体中的两种载流子;本征半导体的载流子的浓度; 1.2 杂质半导体 在本征半导体中掺入少量的杂质元素，就可得到 杂质半导体。 杂质半导体：N型半导体和P型半导体。 （1）N型半导体 在本征半导体中掺入五价元素（磷、砷等）而 得到杂质半导体。; 掺杂后，某些位置上的 硅原子被五价杂质原子（如磷 原子）取代。磷原子的5个价 电子中，4个价电子与邻近硅 原子的价电子形成共价键，剩 余价电子只要获取较小能量即 可成为自由电子。同时，提供电子的磷原子因带正 电荷而成为正离子。; 在N型半导体中，自由电子的浓度大于空穴的浓 度，称自由电子为多数载流子，空穴为少数载流子。 N型半导体主要靠自由电子导电。 （2）P型半导体 在本征半导体中掺入三价元素（硼、铝等）而得 到的杂质半导体。 ; 掺杂后，某些位置上的 硅原子被三价杂质原子（如硼 原子）取代。硼原子有3个价 电子，与邻近硅原子的价电子 构成共价键时会形成空穴， 导致共价键中的电子很容易 运动到这里来。同时，接受一个电子的硼原子因带负电荷而 成为不能移动的负离子。空穴和负离子成对产生。; 在P型半导体中，空穴是多子，自由电子是少子。 1.3 PN结 采用不同的掺杂工艺，将P型半导体和N型半导体 制作在同一块硅片上，在它们的交界面处就形成PN 结。 （1）PN结的形成 扩散运动：物质总是由浓度高的地方向浓度低的 地方运动。;浓度差，于是P区空穴向N区扩散，N区电子向P区扩散。 ; 另一方面，随着扩散运动的 进行，扩散到P区的自由电子 与空穴复合，扩散到N区的空 穴与自由电子复合，P区一边; 空间电荷区也称耗尽层，即在空间电荷区能参与 导电的载流子已耗尽完毕；空间电荷区又称势垒区 ，势垒高度为U?。 PN结动态平衡时;PN结形成过程总结;（2）PN结的单向导电性; PN结加反向电压; 流过PN结的反向电流称为反向饱和电流(即IS)，PN结呈现为大电阻。由于IS很小,可忽略不计,所以该状态称为：PN结反向截止。 总结 PN结加正向电压时，正向扩散电流远大于漂移电 流， PN结导通；PN结加反向电压时，仅有很小的 反向饱和电流IS，考虑到IS≈0，则认为PN结截止。 ;Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd.;二极管; 将PN结用外壳封装起来，并加上电极引线就构成 半导体二极管，简称二极管。由P区引出的电极为 阳极，由N区引出的电极为阴极。; 点接触型：结面积小，电容小，适用于高频工作 常见结构 面接触型：结面积大，电容大，适用于低频。 平面型：结面积可大可小。 ; 在近似分析时，用PN结的电流方程式描述二极管的伏安特性。;击穿电压 U(BR) ; 正向特性：实测二极管的伏安特性发现，存在开启 电压（死区电压）Uon，(硅管死区电压0.5V，锗管死区电压0.2V）。只有当加正向电压大于开启电时，电流才从零随端电压指数规律增加。导通电压硅管0.7V，锗管0.3V。 反向特性：存在反向饱和电流Is和击穿电压U(BR)。 温度特性：环境温度升高时，二