【2017年整理】半导体制作工艺---掺杂.ppt

芯片制造工艺 掺杂;主 要 内 容;为了在硅片内部指定区域得到选择性掺杂，核心步骤为： （1） 在硅片表面生长一层二氧化硅层。该二氧化硅层除了保护硅片表面和绝缘外，其关键是作为掺杂杂质的阻挡层。二氧化硅层将阻挡掺杂原子进入硅表面。 （2） 在硅片表面的二氧化硅层上确定“窗口”（window）。该窗口的大小和形状对应于需要的掺杂区域。 （3） 用腐蚀剂去掉窗口内的二氧化硅，但不除去硅，使窗口的硅表面暴露在外。 （4） 把整个硅片置于掺杂源下，通过扩散或离子注入使掺杂原子进入二氧化硅未覆盖的区域中，从而改变硅的杂质性质。 ;5.1 概述 ;ⅢA族受主掺质(P型);5.2 扩散;扩 散 机 理;P在硅中的扩散曲线;多晶硅中的杂质扩散;5.2.1 间隙扩散;间隙式扩散;对间隙杂质来说，间隙位置是势能极小位置，相邻的两个间隙之间是势能极大位置。间隙杂质要从一个间隙位置运动到相邻的间隙位置上，必须要越过一个势垒，势垒高度Wi一般为0.6 ~ 1.2eV。 间隙杂质一般情况下只能在势能极小位置附近做热振动，振动频率约为1013~1014/s,室温下平均振动能只有0.026eV，也就是在1200度的高温下也只有0.13eV。 间隙杂质只能依靠热涨落才能获得大于Wi的能量，越过势垒跳到近邻的间隙位置。; 温度越高，间隙杂质的跳跃率越高，间隙式扩散越容易。;5.2.2 替位（空位）扩散;对替位杂质来说，在晶格位置上势能相对最低，而间隙处是势能最高位置。 与间隙杂质相同，替位杂质要从一个格点位置运动到近邻格点上，必须要越过一个势垒。势垒高度为Ws。 替位杂质的运动比间隙杂质更为困难，首先要在近邻出现空位，同时还要依靠热涨落获得大于势垒高度Ws的能量才能实现替位运动。;平衡时单位体积的空位数为： N是单位体积内所含的晶格数，Wv代表形成一个空位所需要的能量。 则每个格点上出现空位的几率为： 根据玻尔兹曼统计规律，替位杂质依靠热涨落跳过势垒Ws的几率为： 替位杂质的跳跃率为出现空位的几率乘以跳入该空位的几率，即： 对硅中的替位杂质来说，Wv+Ws约为3~4eV;(a) 间隙式扩散（interstitial）;5.2.3 扩散系数与扩散方程;扩散流密度 J 定义为单??时间通过单位面积的杂质(粒子)数。 D是扩散系数，D的单位为cm2/s。 杂质的扩散方向是使杂质浓度梯度变小。如果扩散时间足够长，则杂质分布逐渐变得均匀。 当浓度梯度变小时，扩散减缓。 D依赖于扩散温度、杂质的类型以及杂质浓度等。; 首先在替位原子的势能曲线和一维扩散模型的基础上，来推导扩散粒子流密度J(x, t)的表达式。 晶格常数为a，t时刻在(x-a/2)和(x+a/2)位置处，单位面积上替位原子数分别为C(x-a/2, t)*a和C(x+a/2, t) *a。单位时间内，替位原子由(x-a/2)处跳到(x+a/2处)的粒子数目为 由(x+a/2)处单位面积上跳到(x-a/2)处的粒子数目为 ;则t时刻通过x处单位面积的净粒子数（粒子流密度）为： 则有： D0为表观扩散系数，ΔE为激活能。 扩散系数由D0、ΔE及温度T决定。;3、 菲克第二定律（扩散方程）; 假设体积元内的杂质不产生也不消失，可得 把菲克第一定律代入上式．则得一维扩散方程 此方程就是菲克第二定律的最普遍表达式。 如果假设扩散系数D为常数，这种假设在低杂质浓度情况下是正确的，则得 ;5.2.4、扩散杂质的分布;在扩散开始时，初始条件应为 根据上述的边界条件和初始条件，可求出恒定表面源扩散的杂质分布情况： erfc为余误差函数。;恒定表面源扩散的杂质分布形式如图所示。 在表面浓度Cs一定的情况下，扩散时间越长，杂质扩散的就越深，扩到硅内的杂质数量也就越多。 如果扩散时间为t，那么通过单位表面积扩散到Si片内部的杂质数量Q(t)为： 恒定源扩散，其表面杂质浓度Cs基本上由该杂质在扩散温度(900-1200℃)下的固溶度所决定，在900-1200℃范围内，固溶度随温度变化不大，很难通过改变温度来达到控制表面浓度Cs的目的，这是该扩散方法的不足之处。;②结深;③ 杂质浓度梯度;2、 有限表面源扩散;假设杂质不蒸发，硅片厚度远大于杂质要扩散的深度。则边界条件为： 在上面的初始条件和边界条件下，求解扩散方程，得到有限表面源扩散的杂质分布情况： 式中，exp(-x2/4Dt)为高斯函数。;①杂质分布形式;②结深;③ 杂质浓度梯度;3、 两步扩散;5.2.5、影响杂质分布的其他因素;1、 硅中的点缺陷;杂质与空位的反应： 替位型杂质扩散机制：杂质原子运动到近邻的空位上 ;