【2017年整理】半导体原子层横向异质结构的合成.doc

半导体原子层的横向异质结构的合成 Xin-Quan Zhang , Chin-Hao Lin,?Yu-Wen Tseng, Kuan-Hua Huang, and Yi-Hsien Lee 材料科学与工程，国立清华大学，新竹20013，台湾， 支持信息 摘要：拥有各种形态和能带排列的过渡金属硫化物(TMDs)的原子薄层异质结构是下一代柔性纳米电子学的关键材料。单个TMD单层可以横向连接去构建平面的半导体异质结构，这是一种很难连接上脱落的薄片的费时费力的方法。能在不同的平面上生产出大量的高质量分层异质结构是非常必要的但也是一个具有挑战性的问题。这里，我们得到了一个横向异质结构的单层TMDs：MoS2?WS2 和 MoSe2?WSe2MoS2, MoSe2,WS2, 和 WSe2(Cs-corrected STEM)有可能成为表征晶体结构(APCVD)，通过半导体化的TMD原子层在多样单层表面的直接生长合成的横向异质结构MoS2?WS2 和 MoSe2?WSe2横向异质结构的原子层中获得。通过Cs-corrected STEM 和 SHG的苝四酸钾盐(PTAS) WO3，WO3粉末会充满国产石英反应器和可调长度的转移管以形成稳定的WO-3气流，使反应物从高温区蒸发和 S 或 Se 在特定的温度和距离的基板表面上反应。在低温区，在650 到 750℃范围内单个的TMD单层可以被成功地合成。以钼基为底的TMD原子层比以钨基为底的TMD原子层生长容易得多，因为在特定的生长温度中MoO3的蒸气压远高于WO3的蒸气压通过仔细控制反应物的用量650?700℃范围的 S4 中所示。一种典型的海岛型增长模式在生长温度降低到600℃下时出现。TMD原子层生长的均匀性与增长行为对核心的生长温度、反应物流量、气流形 图 1：TMD原子层的横向异质结构一维分界面的合成。示意图（a）为常压化学气相沉积法实验装置图，（b）为TMD原子层的横向异质结构。MoSe2?WSe2单分子膜的横向异质结构的特征：（c）为光学显微镜 (OM)图像， (d)为原子力显微镜 (AFM)图像，(e) 为E2g模型下WSe2的拉曼映射图，（f）为A1g模型下MoSe2的拉曼映射图，(g) 为WSe2 的PL映射图，(h)为 MoSe2的PL映射图，（i）为拉曼光谱，（j) 为WSe2和 MoSe2的异质结构在小组c标记处的 PL光谱：(k)为OM图像，(l)为AFM图像。(m)为2LA(M)模式下WS2的拉曼映射图，(n) 为A1g模式下MoS2拉曼映射图，(O) 为WS2的 PL映射图，（p)为MoS2的PL映射图; （q）为拉曼光谱；(r) 为WS2和MoS2的异质结构在小组 k.标记处的PL光谱 (比例尺度：5μm) 态与浓度很敏感。这个合成的三个典型钼源是 MoO3粉末，热蒸发 MoO3?x硅薄膜层和化学计量比 MoX2 粉末(X = S Se)，仔细研究并比较生长行为可以更好地理解支持信息 S4 中所示的 信息。当以氧化物粉体为原料，由于钼氧化物粉末 (MoO3?x)具有TMD 原子层使用化学计量 的MoS2 (MoSe2)或MoO3?x 10纳米薄层覆盖可以在其他单层边横向生长。此生长可能会导致反应物钼的蒸汽流量减少，因为整个过程涉及到薄层或高温下化学计量粉末的分解和他们为了进一步生长而从高温区到低温区的输送。基于纯净TMD 原子层的异质结构需要S (Se) 的纯净蒸汽以避免TMD原子层在混合的S和Se蒸气中会发生合金化。[64-66]值得注意的是使用我们这种增长方法可获取垂直异质结构。这种生长方式得到的异质结构可能会合金化，这需要在将来的工作深入研究。在此研究中，纯净TMD 单层的横向异质结构是以芳香分子为生长种进行低温 CVD 生长过程的主要观察对象。 我们通过光谱和光致发光谱 (PL)研究PL谱信息分别于图1c (WSe2?MoSe2) 和图1k(WS2?MoS2)给出。图1i和1j中，E2g和WSe2的拉曼频带位于 249.9cm?1和 259.9cm?1处MoSe2处于286.7cm?1和241.6cm?1。相比之下，E2g和A1g模式中单层WS2位于349.4cm?1和418.4cm?1处，而那些MoS2单层处于384.4 cm?1和402.4 cm?1，这些数值与已经报告过的其他地方的单个TMD单层接近。[59,67-70] 横向异质结构中的MoSe2和WSe2发光峰分别位于接近810 nm和770 nm处，而生长的单个MoSe2和WSe2单层分别位于805nm和768 nm处。对TMD原子层的(WSe2?MoSe2)和图 (WS2?MoS2)所示增厚的WSe2?MoSe2的2：横向异质结构的原子级分辨率图像的和TMD 单层膜的Cs纠正的STEM-HA