【2017年整理】半导体工艺总复习.ppt

摩尔定律;在集成电路发展过程中半导体材料锗被硅取而代之的原因。 a.硅的储量丰富：硅在地壳中含量约占27％，仅次于氧。形成普通沙粒的二氧化硅，就是最常见的硅化合物。 b.很好的物理化学特性：更高的熔化温度允许更宽的工艺容限，硅1412℃的熔点远高于锗937℃的熔点，可以承受高温工艺。机械强度较高，无毒，利于加工生产。 c.更宽的工作温度范围：锗的Eg=0.67eV，操作温度仅能到达90℃，漏电流较大。硅Eg=1.12eV，可以用于比锗更宽的温度范围（可高于200℃），更小的漏电流，更高的可靠性。 d.硅可以自然形成的氧化物：不论是砷化嫁（GaAs）还是锗（Ge）都不能形成稳定且不溶于水的氧化物，例如：二氧化锗是水溶性，且会在800℃左右的温度自然分解。;请列出二氧化硅在电路制作过程中的六种应用 答： 1. 作为杂质选择扩散的掩膜；因为在二氧化硅中的扩散系数较高，因此在铝 扩散时不能采用二氧化硅做掩膜。 2. 作为器件表面的保护和钝化膜： 3. 用作IC的介质隔离（如场氧化等）； 4. 用作多层布线间的绝缘介质； 5. 用作MOS电容器的介质材料； 6. 用作MOSFET的绝缘栅材料。 ;什么是薄层电阻，其物理意义是什么？ 薄层电阻是表面为正方形的半导体薄层，在电流方向呈现的电阻。单位为Ω/□。其大小与正方形边长无关，只要知道了某个掺杂区域的方块电阻，就知道了整个掺杂区域的电阻值。 物理意义：薄层电阻的大小直接反映了扩散入硅内部的净杂质总量。即;列举离子注入在集成电路生产中的几种应用。 阱区形成，源漏形成，多晶硅栅和电阻掺杂，阈值电压控制调节，沟道阻断注入，轻掺杂漏(LDD)结构，高能注入形成埋层，形成SOI结构。 表面二氧化硅层在离子注入中的作用是什么？ 减小注入沟道效应。 离子注入损伤退火的目的是什么？损伤退火常用方法？ 目的： 去除由注入造成的损伤，让硅晶格恢复其原有完美晶体结构； 让杂质进入电活性位置－替位位置；恢复电子和空穴迁移率。 常用的损伤退火方法是RTP快速热退火。 ;光刻分辨率;常用的淀积薄膜有哪些？有集成电路中的作用？薄膜淀积方法一般分为哪两类？ 单晶硅（外延）—器件；多晶硅—栅电极；SiO2—互连介质；Si3N4—钝化；金属—互联线。 薄膜淀积一般分两类：化学气相淀积(CVD)和物理气相淀积(PVD)。 物理气相淀积PVD：蒸发，溅射 化学气相淀积CVD：常压化学气相淀积 （APCVD）；低压化学气相淀积 （LPCVD）；等离子增强化学气相淀积（PECVD）；高密度等离子化学气相淀积（HDPCVD） 什么是PECVD?PECVD主要应用在哪里，为什么？ 等离子增强化学气相淀积（PECVD）(Plasm Enhanced CVD) PECVD经常用于金属布线后的介质隔离层的生成，因为： 1.PECVD技术利用低压条件下，通过射频电场产生气体放电形成等离子体来激活反应气体分子增强化学反应，从而降低了化学气相淀积的温度； 2.等离子增强CVD最重要的特征是能在更低的温度(100～450℃)下淀积出高性能的薄膜；;试述二氧化硅、氮化硅、硅、铝的湿法刻蚀方法？ 1 SiO2的湿法腐蚀? SiO2 + 6HF = H2SiF6 + 2H2O 腐蚀液由HF（40%）和NH4F水溶液混合组成，通常腐蚀SiO2在HF中加入NH4F, 称为BHF或BOE； 2 Si3N4的腐蚀? 硬Si3N4可用180℃ H3PO4腐蚀，由SiO2作掩蔽； 3 Si 的湿法腐蚀? 常采用HF、HNO3和(CH3COOH)的混合物(HNA) ；? Si + HNO3 + 6HF = H2SiF6 + HNO2 + H2O + H2 4 铝腐蚀? 腐蚀液种类很多，效果较好的是由磷酸、硝酸、冰醋酸和水组成的混合腐蚀液。其中： ? 磷酸主要起腐蚀铝的作用，约占腐蚀液的80％； 2Al + 6H3PO4 → 2Al(H2PO4)3 + 3H2↑ ? 硝酸与铝反应生成Al(NO3)3,增加硝酸可提高腐蚀速度，但含量过高会影响光刻胶的抗蚀能力； ? 醋酸则能降低腐蚀液的表面张力，增加硅片与腐蚀液的浸润效果，提高腐蚀的均匀性，同时具有缓蚀作用； ;为什么氮化硅常用作钝化层？ 对H2O与Na+的强烈阻挡作用,是一种理想的钝化层; 刻蚀工艺有哪两种类型？ 湿法腐蚀技术 , 干法刻蚀技术 ;解决spiking问题的方法: 广泛采用的方法是在Al中掺入1-2% Si以满足溶解性,然而 当冷却时,会有硅的分凝并会增加接触电阻 较好的方法是采用阻挡层, Ti 或 TiSi2有好的接触和黏附性, TiN 可作为阻挡层;常用的集成电路封装;专用名词英汉对照;画出N阱和P阱硅栅CMOS基本单元和双极型集成电路中