【2017年整理】4发光二极管(LED).pptVIP

第3章 发光二极管（LED）;史上第一只LED;LED的发展;蓝光LED芯片;Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd.;I. 引言 LED是通过自发辐射过程发光的器件，与通过受激辐射发光 的半导体激光器相比，其不同之处在于： 结构简单； 价格低廉； 可靠性高。 但其不足之处在于： 响应速度低； 输出功率小； 输出频谱宽。;在正向外加偏置下，少数载流子注入P-N结(注入);改进的LED : 高输出功率 高响应速度 高耦合效率;II. LED的材料选择原则 发光器件的材料选择，首先要考虑的是器件的发光效率。电子-空穴对的复合过程有两种： 辐射复合：产生光子； 非辐射复合：不产生光子，能量以其他形式散失。 在LED的发光过程中，两种辐射机理同时存在，要提高器件的发光效率，必须尽量使非辐射复合所占比重更小。 间接带隙材料内部的复合过程大多属于非辐射复合，例如俄歇过程。因而半导体光源的材料绝大多数都是直接带隙材料，间接带隙材料无法用于制作光源。例如Si和Ge都不能用于制作半导体光源。;光源的特点和用途 发射光子能量接近于材料带隙； 可见光区域的光子能量范围：1.7eV-2.8eV； 长途通信用光源的光波长在光纤中的损耗要低：1.3和1.55um 局域网通信所用光源成本要低：例如GaAs光源（0.85um） 与光电检测器的制作过程类似，LED也需要利用外延生长技术生成外延层，在外延层上制作发光区，材料的选择必然受到晶格匹配的限制。常用材料为GaAs系列和InP系列材料，这两类容易满足晶格匹配条件，且材料制作工艺成熟。;可见光的光波波长范围在770-350纳米之间。波长不同的电磁波，引起人眼的颜色感觉不同。770-622nm，感觉为红色；622-597nm，橙色；597-577nm，黄色；577-492nm，绿色；492-455nm，蓝靛色；455-350nm，紫色。 ;0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5;III. LED的工作原理 正向偏置条件下，注入少数载流子，并与多数载流子复合，产生光子，光子穿过一定厚度的半导体材料向外辐射，形成光输出。 正向偏置，注入少数载流子：电子注入P区，空穴注入N区； 少数载流子与多数载流子复合，产生光子； 光子出射。 描述这一发光过程的效率的参数主要有：辐射效率、注入效率、出光效率以及内量子效率和外量子效率。;1. 辐射效率 其定义为：在载流子复合过程中，辐射复合在总的复合过程中所占的比例。;由于：;2.注入效率 在正向偏置条件下，注入 PN结 的电流由三部分构成： 注入到P区的电子扩散电流Jn； 注入到N区的空穴扩散电流Jp； 中间耗尽层中由陷阱复合导致的电流JGR 在这三种电流中，只有前两者的复合过程会产生光子，例如Jn注入到P区后，电子成为少数载流子，与P区的空穴复合产生光子。而JGR是由中间耗尽区的陷阱引起的复合所消耗，并不产生光子。由于P区靠近发光表面，因而只有Jn引起的发光才是有效的。注入效率就是注入的Jn在总电流中所占的比例。;光子出射;为减少光子的再吸收，提高发光效率，发光区要靠近出射面; 提高注入效率，必须尽量提高Jn的值; 使用高纯度材料，减少陷阱杂质，可以降低JGR，提高发光效率。; 由三种电流的表达式，要增大Jn所占比重，提高注入效率，应该使P区轻掺杂，N区重掺杂，即使用PN+结。对于这种结，ND 》NA ,且对于III族或者V族元素，电子迁移率要远大于空穴迁移率，因此Jn要远大于Jp ，注入效率接近于1。 ;对于异质结，亦存在下列等式：;3. 内量子效率：; 在器件设计过程中，P区的掺杂浓度要综合考虑，掺杂浓度低则注入效率高，但辐射效率下降；掺杂浓度高则辐射效率提高，而注入效率降低。;复合过程 半导体材料中电子-空穴对的复合过程分为两类：辐射复合和非辐射复合。 辐射复合： 带间复合； 浅杂质-带间复合：浅施主-带间复合、导带-浅受主复合； 激子复合； 施主-受主对复合。 非辐射复合： 俄歇复合； 多声子跃迁； 深能级复合中心复合； 表面复合。;带间复合;Direct;直接复合(1);陷阱复合(1);施主-受主对复合(2);有声子参与的俄歇过程;【例题3.1】 一个LED其主体结构为GaAs材料制作的PN结，工作在300K室温条件下，GaAs本征半导体载流子密度为2×106cm-3。PN结的参数如下，求此PN结的注入效