【2017年整理】4开关电源中的高频磁元件的设计.pptVIP

第4章 高频开关电源中的磁元件设计 ;这里讨论的磁性元件是指绕组和磁芯。绕组可以是一个绕组，也可以是两个或多个绕组。它是储能、转换及隔离所必备的元件。常把它作为变压器或电感器使用。 当变压器用，可起作用为： 1) 电气隔离；2) 变比不同，达到电压升、降；3) 大功率整流副边相移不同，有利纹波系数减小；4) 磁耦合传送能量；5) 测量电压、电流。 当电感器用，可起作用为： 1) 储能、平波、滤波；2)抑制尖峰电压或电流，保护易受电压、电流损坏的电子元件；3)与电容器构成谐振，产生方向交变的电压或电流。 ;4.1.2磁性元件对设计的重要意义 ;4.1.3 磁性材料的磁化;(a) (b) (c) (d) 图5-1 铁磁物质磁化过程中的磁畴排列;1、磁性材料的磁化过程 如将完全无磁状态的铁磁物质放在磁场中，磁场强度从零逐渐增加，测量铁磁物质的磁通密度B，得到磁通密度和磁场强度H之间关系，并用B-H曲线表示，该曲线称为磁化曲线，如图5-2曲线C所示。 ;当磁介质置于磁场中，外磁场较弱时，随着磁场强度的增加，与外磁场方向相差不大的那部分磁畴逐渐转向外磁场方向（图5-1（b）），磁感应B随外磁场增加而增加(图5-2中oa段)。如果将外磁场H逐渐减少到零时，B仍能沿ao回到零，即磁畴发生了“弹性”转动，故这一段磁化是可逆的。 当从磁场继续增大时，与外磁场方向相近的磁畴已经趋向于外磁场方向，那些与磁场方向相差较大的磁畴克服“摩擦”，也开始转向外磁场方向（图5-1（c）），因此磁感应B随H增大急剧上升，如磁化曲线ab段。如果把ab段放大了看，曲线呈现阶梯状，说明磁化过程是跳跃式进行的。如果这时减少外磁场，B将不再沿ba段回到零，过程是不可逆的。 ;2、饱和磁滞回线 如果将铁磁物质沿磁化曲线OS 由完全去磁状态磁化到饱和Bs（如图5-3 所示），此时如将外磁场H 减小，B值将不再按照原来的初始磁化曲线(0S)减小，而是更加缓慢地沿较高的B 减小，这是因为发生刚性转动的磁畴保留了外磁场方向。即使外磁场H=0时，B≠0，即尚有剩余的磁感应强度Br 存在。这种磁化曲线与退磁曲线不重合特性称为磁化的不可逆性。磁感应强度B 的改变滞后于磁场强度H 的现象称为磁滞现象。 ;1、初始磁导率 初始磁导率是磁性材料的磁化曲线始端磁导率的极限值，即： 式中 m0—真空磁导率(4p×10－7H/m) ；H —磁场强度(A/m)；B —磁感应强度(T)。 2、有效磁导率mr 在闭合磁路中，或多或少地存在着气隙，若气隙很小可以忽略，则可以用有效磁导率来表征磁芯的导磁能力: 式中L—线圈的自感量(mH)；N —线圈匝数；l/Ae —— 磁芯常数，是磁路长度与磁芯截面积Ae之比值(mm-1);3、饱和磁感应强度BS 随磁芯中磁场强度H增加，磁感应强度出现饱和时的B值，称饱和磁感应强度Bs(mT)(如图5-3所示)。 4、剩余磁感应强度Br 磁芯从磁饱和状态去除磁场后，剩余的磁感应强度(或称残留磁通密度) (如图5-3所示)。 5、矫顽力HC 磁芯从饱和状态去除磁场后，继续反向磁化直至磁感应强度减小到零，此时的磁场强度称为矫顽力(或保磁力) (如图5-3所示) ;6、温度系数am 温度系数为温度在T1至T2范围内变化 1oC时，每相应磁导率的相对变化量，即 m1——温度为T1时的磁导率； m2——温度为T2时的磁导率 7、居里温度Tc 在该温度下磁芯的磁状态由铁磁性转变成顺磁性。其定义如图5－4所示，即在m－T曲线上，80％mmax与20％mmax连线与m=1的交叉点相对应的温度，即为居里温度Tc。;8、磁芯损耗(铁损) Pc 磁芯损耗包括：磁滞损耗、涡流损耗、残留损耗。 磁滞损耗是交流磁化所消耗的能量，表为 作为工程计算，可用式 计算。 其中：f ——频率；Bm——最大磁通密度；Ch——磁滞损耗系数，因材质而异。 涡流损耗是交变磁场在磁芯中产生环流引起的欧姆损耗，表 为 其中Ce——磁滞损耗系数，大小取决于材料电阻率。 残留损耗是由磁化延迟及磁矩共振等造成，前两项是主要的。;9、电感系数AL 电感系数是磁芯上每一匝线圈产生的自感量，即 式中：L ——有磁芯的线圈的自感量(H) N ——线圈匝数