【2017年整理】十四半导体器件.pptVIP

第14章 半导体器件;导体、半导体和绝缘体;14.1 半导体的导电特性;14.1.1 本征半导体;14.1.1 本征半导体;14.1.1 本征半导体; Si;本征半导体的导电机理;14.1.2 N型半导体和 P 型半导体; Si;Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd.; 1. 在杂质半导体中多子的数量与 （a. 掺杂浓度、b.温度）有关。;在N型半导体的基片上，采用平面扩散法等工艺，掺入三价元素，使之形成P型区，则在P区和N区之间的交界面处将形成一个很薄的空间电荷层，称为PN结。PN结的典型厚度为0.5?m。;14.2 PN结;1.空间电荷区中没有载流子。;14.2.2 PN结的单向导电性;2. PN 结加反向电压（反向偏置）;PN 结变宽;14.3 半导体二极管;阴极引线;14.3.2 伏安特性;14.3.3 主要参数;二极管的单向导电性; 二极管电路分析举例 ;电路如图，求：UAB;两个二极管的阴极接在一起 取 B 点作参考点，断开二极管，分析二极管阳极和阴极的电位。;ui 8V，二极管导通，可看作短路 uo = 8V ui 8V，二极管截止，可看作开路 uo = ui;RL;t;【作业】 P32： 【习题】 14.3.5 P32： 【习题】 14.3.8 ;14.4 稳压二极管;稳压二极管的应用;（2）限幅;3. 主要参数;负载电阻 。;令输入电压降到下限时，流过稳压管的电流为Izmin 。;14.5 半导体三极管(双极性晶体管);基区：最薄， 掺杂浓度最低;14. 5. 2 电流分配和放大原理;　发射极是输入回路、输出回路的公共端 ;2. 各电极电流关系及电流放大作用;3.三极管内部载流子的运动规律;3. 三极管内部载流子的运动规律;14.5.3 特性曲线;1. 输入特性;2. 输出特性;IB=0;例： ?=50， UC =12V， RB =70k?， RC =6k? 当USB = -2V，2V，5V时， 晶体管处于何种工作状态？;IC;USB =5V时:;四种工作状态;14.5.4 主要参数;例：在UCE= 6 V时， 在 Q1 点IB=40?A, IC=1.5mA； 在 Q2 点IB=60 ?A, IC=2.3mA。;2.集-基极反向截止电流 ICBO;4. 集电极最大允许电流 ICM;ICUCE=PCM;晶体管参数与温度的关系;符号;14.6.2 光电二极管;14.6.3 光电三极管;第14章 半导体器件; 学会用工程观点分析问题，就是根据实际情况，对器件的数学模型和电路的工作条件进行合理的近似，以便用??便的分析方法获得具有实际意义的结果。 器件是非线性的、特性有分散性、RC 的值有误差、工程上允许一定的误差、采用合理估算的方法。对电路进行分析计算时，只要能满足技术指标，就不要过分追究精确的数值。;【作业】 P34： 【习题】 14.4.3 P34： 【习题】 14.5.9;二、二极管基本应用电路分析举例;全波整流; 限幅电路;数字电路中，输入只有2种状态：要么是高电平(+3V)，要么是低电平(0V)。; 低压稳压电路