【2017年整理】晶体生长技术.pptVIP

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2017-06-08 发布于浙江
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【2017年整理】晶体生长技术

晶体生长技术;1.晶体生长的一般方法;(1)固相生长:固体?固体;(2)液相生长:液体?固体;(3)气相生长:气体?固体;Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd.;2.液固相转变过程;硅锗单晶生长;单晶材料的生长，是物质的非晶态，多晶态，或能够形成该物质的反应物，通过一定的物理或化学手段转变为单晶状态的过程。首先将结晶的物质通过熔化或溶解方式转变成熔体或溶液。再控制其热力学条件生成晶相，并让其长大。;单晶硅圆片按其直径分为6英寸、8英寸、12英寸（300毫米）及18英寸（450毫米）等。直径越大的圆片，所能刻制的集成电路越多，芯片的成本也就越低。但大尺寸晶片对材料和技术的要求也越高。单晶硅按晶体生长方法的不同，分为直拉法（CZ Czochralski ）、区熔法（ FZ,Float-Zone ）和外延法。直拉法、区熔法生长单晶硅棒，??延法生长单晶硅薄膜。;直拉法生长的单晶硅主要用于半导体集成电路、二极管、外延片衬底、太阳能电池。目前晶体直径可控制在Φ3~8英寸。区熔法单晶主要用于高压大功率可控整流器件领域，广泛用于大功率输变电、电力机车、整流、变频、机电一体化、节能灯、电视机等系列产品。目前晶体直径可控制在Φ3~6英寸。外延片主要用于集成电路领域。;;水平区熔法生长单晶（锗）悬浮区熔法生长单晶（硅） ; 晶体的人工生长技术;从熔体中生长单晶体;从高温溶液中生长单晶体;从气相中生长单晶体;晶体薄膜生长方法