第2章(课件)VLSI特征尺寸缩小2004年9月15日.pdfVIP

第二章 VLSI 特征尺寸缩小 工艺每2～3 年出现一代 特征尺寸缩小30 ％ （为原来的0.7 倍） 门延时减少30 ％（工作频率提高43 ％） 晶体管密度翻一倍 每次翻转消耗的能量减少65 ％（在频率提高43 ％的情况下功耗节省50 ％） 芯片尺寸每代增加14 ％ 尺寸缩小为了 （1）尺寸更小（2 ）速度更快（3 ）功耗更低（4 ）成本更低 2004-9-15 清华大学微电子所 《数字大规模集成电路》 周润德 第2 章第1 页 工艺技术的发展(2000 年数据) International Technology Roadmap for Semiconductors Year of Introduction 1999 2000 2001 2004 2008 2011 2014 工艺标志点[nm] 180 130 90 60 40 30 电源电压 [V] 1.5-1.8 1.5-1.8 1.2-1.5 0.9-1.2 0.6-0.9 0.5-0.