第8章 半导体存储器及可编程逻辑器件.pptx

第8章 半导体存储器和可编程逻辑器件;半导体存储器和可编程逻辑器件;8.1 概述;在分析和设计逻辑系统时，应把LSI和VLSI作为一个功能模块来进行使用。 LSI分为通用型和专用型两大类。 ;通用型LSI是指已被定型的标准化、系列化产品。各种型号的存储器、微处理器等均属此类。 专用型LSI是指为某种特殊用途而专门设计制作的功能块，只能使用在一些专用场所或设备中。;本章仅简要介绍 存储器 可编程逻辑器件;8.2 半导体存储器;存储器分类 ;按在计算机系统中的作用分为： 主存储器（内存） 辅助存储器（外存） 高速缓冲存储器 ;按信息的可保存性分为 易失性存储器 非易失性存储器 ;易失性存储器在系统关闭时会失去存储的信息，它需要持续的电源供应以维持数据。大部分的RAM都属于此类。 非易失存储器在系统关闭或无电源供应时仍能保持数据信息，如ROM半导体存储器、磁介质或光介质存储器。 ;半导体存储器;对存储器的操作;存储器的主要技术指标;存储容量;一个内有8192个基本存储单元的存储器，其存储容量为8Kbit（1K=210=1024）； 这个存储器如果每次可以读（写）8位二值码，说明它可以存储1K个字节（Byte），每字节为8位，这时的存储容量也可以用1K?8位来表示。 ;存取速度;随机存取存储器;根据存储单元工作原理的不同，RAM可分为两大类： 静态随机存储器SRAM 动态随机存储器DRAM ;SRAM的数据由触发器记忆，只要不断电，数据就能保存，但其集成度受到限制。 DRAM一般采用MOS管的栅极电容来存储信息，必须由刷新电路定期刷新，但集成度高。 ;特点： SRAM速度非常快，但其价格较贵。 DRAM的速度比SRAM慢，不过它比ROM快。 ;RAM的结构;存储矩阵由若干个存储单元组成。 在译码器和读/写控制电路的控制下，既可以对存储单元写入信息，又可以将存储单元的信息读出，完成读/写操作。 ;地址译码器包括 行地址译码器 列地址译码器 ;行地址译码器从存储矩阵中选中行存储单元； 列地址译码器从存储矩阵中选中列存储单元， 行与列均被选中线的交叉处的存储单元与输入/输出线接通。 ;读/写控制电路用于对电路的工作状态进行控制。 当读/写控制信号为高电平时，执行读操作； 当读/写控制信号为低电平时，执行写操作。 ;2114RAM的结构框图;2114RAM的工作模式;静态存储单元（了解）;由于使用的器件不同，静态存储单元又分为MOS型和双极型两类。 由于CMOS集成电路最显著的特点是静态功耗小，因此其存储单元在RAM中得到了广泛应用。 ;6管CMOS静态存储单元（了解）;静态存储单元存在的问题（了解）;动态存储单元（了解）;管动态存储单元（1）电路组成（了解）;只读存储器;只读存储器按数据的写入方式分为 固定ROM 可编程ROM（PROM） 可擦除可编程ROM（EPROM） ;固定ROM所存储的数据已由生产厂家在制造时用掩模板确定，用户无法进行更改，所以也称掩模编程ROM。 可编程ROM在出厂时，存储内容全为1或全为0，用户根据自己的需要进行编程，但只能写入一次，一旦写入则不能再修改。;EPROM具有较强的灵活性，它存储的内容既可按用户需要写入，也可以擦除后重新写入。 包括用紫外线擦除的PROM、电信号擦除PROM和快闪存储器。 ;ROM的结构 ;二极管ROM的电路组成;二极管ROM读操作;在存储矩阵中字线与位线的每一个交叉点都是一个存储单元，在交叉点上接有二极管相当于存储1，没有接二极管则相当于存储0，经输出缓冲器后状态被反相。 在存储矩阵中，交叉点的数目也就是存储单元数，即为存储容量。图8-6中存储器的存储容量为22×4。 ;可编程ROM;在编程时，如果需要某存储单元存入0，可通过编程器熔化该存储单元的熔丝。 PROM为一次性编程器件，一旦编程后不可再进行修改。 ;EPROM;EPROM芯片的封装外壳通常装有透明的石英盖板。 不装透明石英盖板EPROM ，只能写入一次，也称一次性编程存储器OTP ROM。 UVEPROM其擦除操作复杂、需离线进行，并且擦除速度慢。;E2PROM;快闪存储器;ROM的应用举例;设计方法 列出其真值表或将表达式转换成最小项的和的形式 将ROM地址线作为输入，数据线作为输出，根据表达式接入存储器件。 ;例8-1 用ROM实现以下多输出函数，并画出其存储矩阵连接图。;选用合适的ROM;将函数表示成最小项的和的形式;画出ROM存储矩阵连接图;画出ROM存储矩阵连接图;存储器扩展 ;存储器位扩展;2764为8K×8 位EPROM。 试用2764存储器设计一片8K×16位的EPROM。;两者具有相同数量的地址线 后者的数据线比前者多1倍。 因此采用2片2764进行位扩展，便可获得所需要的EPROM