【2017年整理】高电压技术问答题.docVIP

1-1、试比较电介质中各种极化的性质和特点。 答： 电介质极化种类及比较 极化种类 产生场合 所需时间 能量损耗 产生原因 电子式极化 任何电介质 10－15s 无 束缚电子运动轨道偏移 离子式极化 离子式电介质 10－13s 几乎没有 离子的相对偏移 转向极化 极性电介质 10－10s～10－2s 有 偶极子的定向排列 空间电荷极化 多层介质交界面 10－2s～数分钟 有 自由电荷的移动 在外电场的作用下，介质原子中的电子运动轨道将相对于原子核发生弹性位移，此为电子式极化或电子位移极化。离子式结构化合物，出现外电场后，正负离子将发生方向相反的偏移，使平均偶极距不再为零，此为离子位移极化。 极性化合物的每个极性分子都是一个偶极子，在电场作用下，原先排列杂乱的偶极子将沿电场方向转动，显示出极性，这称为偶极子极化。在电场作用下，带电质点在电介质中移动时，可能被晶格缺陷捕获或在两层介质的界面上堆积，造成电荷在介质空间中新的分布，从而产生电矩，这就是空间电荷极化。 补充：1、画出电介质的等效电路（非简化的）及其向量图，说明电路中各元件的含义，指出介质损失角。 答：图1－4－2中，为泄漏电阻；为泄漏电流；为介质真空和无损极化所形成的电容；为流过的电流；为无损极化所引起的电容；为无损极化所形成的等效电阻；为流过支路的电流，可以分为有功分量和无功分量。 为真空和无损极化所引起的电流密度，为纯容性的；为漏导引起的电流密度，为纯阻性的；为有损极化所引起的电流密度，它由无功部分和有功部分组成。容性电流与总电容电流密度向量之间的夹角为，称为介质损耗角。介质损耗角简称介损角，为电介质电流的相角领先电压相角的余角，功率因素角的余角，其正切称为介质损耗因素，常用％表示，为总的有功电流密度与总无功电流密度之比。 补充：1、说明巴申定律的实验曲线的物理意义是什么？ 答：巴申曲线如下图所示： 其物理意义在于：在均匀的电场中，击穿电压是气体的相对密度、极间距离S乘积的函数，只要的乘积不变，也就不变。 其原因可解释如下：假设S保持不变，当气体密度增大时，电子的平均自由行程缩短了，相邻两次碰撞之间，电子积聚到足够动能的几率减小了，故必然增大。反之当减小时，电子在碰撞前积聚到足够动能的几率虽然增大了，但气体很稀薄，电子在走完全程中与气体分子相撞的总次数却减到很小，欲使击穿也须增大。故在这两者之间，总有一个值对造成撞击游离最有利，此时最小。同样，可假设保持不变，S值增大时欲得一定的场强，电压必须增大。当S值减到过小时，场强虽大增，但电于在走完全程中所遇到的撞击次数己减到很小，故要求外加电压增大，才能击穿。这两者之间，也总有一个S的值对造成撞击游离最有利，此时最小。 2、试画出用兆欧表测量绝缘套管体积电阻的接线图，并说明端子G 的作用是什么；如果在15s与60s时测得该套管的绝缘电阻为R15=1000MΩ，R60 =3000MΩ ，那么该套管的绝缘电阻是多大？它的吸收比为多少？ 答：兆欧表测量绝缘套管体积电阻的接线图如下： 端子G 的作用是屏蔽。该套管的绝缘电阻是3000MΩ（一般情况下60s的绝缘电阻已经接近无限长时间的绝缘电阻）。吸收比。  第一章 1-4、电解质电导与金属电导本质区别为何？ 答：金属导电的原因是自由电子移动；电介质通常不导电，是在特定情况下电离、化学分解或热离解出来的带电质点移动导致。 1-6、某些电容量较大的设备经直流高压试验后，其接地放电时间要求长达5--10min，为什么？ 答：由于介质夹层极化，通常电气设备含多层介质，直流充电时由于空间电荷极化作用，电荷在介质夹层界面上堆积，初始状态时电容电荷与最终状态时不一致；接地放电时由于设备电容较大且设备的绝缘电阻也较大则放电时间常数较大（电容较大导致不同介质所带电荷量差别大，绝缘电阻大导致流过的电流小，界面上电荷的释放靠电流完成），放电速度较慢故放电时间要长达5～10min。 第二章 2-2、气体放电的汤森德机理和流注机理的区别以及各自的适应范围？ 答：汤森德理论认为电子崩向阳极不断发展，崩中的正离子撞击阴极也产生自由电子。自由电子的撞击电离和正离子撞击阴极表面的电离是放电产生和发展的原因。 流注理论认为电子崩发展使崩头和崩尾场强增加而崩内场强减少，有利于崩内发生复合产生大量的光子，而光子又产生光电离，光子产生的电子也产生二次电子崩迅速汇入到主崩，以等离子体的形式向阴极发展就形成了流注。 相同点：两者产生和发展都需要碰撞电离和电子崩。 相异点：汤逊理论主要考虑了电子的碰撞电离和正离子撞击阴极表面的电离；流柱理论主要考虑了电子的碰撞电离、空间电荷对电场畸变的影响和空间光电离。 适应范围：汤逊理论适合低气压、小距离的情况，，比