LED多芯片集成功率光源概述.docVIP

多芯片集成是大功率光源的实现形式之一。本文归纳了多芯片集成功率光源的优点和缺点，分析了需要解决的主要技术问题，展示了目前的进展，提出了对未来走向的看法。 1 实现白光LED的方法 方式 源 发光材料 单芯片 蓝色LED InGaN/YAG荧光粉 已实用 蓝色LED InGaN/荧光染料 蓝光激发产生蓝绿红三色染料 蓝色LED ZnSe 外延层出现蓝光，激发衬底出黄光 紫外LED InGaN/荧光粉 紫外光激发三基色荧光粉 双芯片 蓝色LED 黄绿LED InGaN/GaP 补色产生白光 蓝色LED 黄色LED InGaN/AlGaInP 补色产生白光 三芯片 蓝色LED 绿色LED 红色LED InGaN/AlGaInP 三基色 2 实现大功率LED的方法 大功率 LED单芯片封装 多芯片小功率LED芯片封装 3 多芯片小功率LED封装的优缺点 优点： 芯片成本较低 光效更高，光衰更慢 芯片货源充足，适合中国的国情（不能生产大功率芯片） 单位面积的芯片数可灵活设计，可以根据需要封装成不同的点光源或者面光源 通过不同组合可以适应不同的电压和电流，适应驱动器设计，从而提高整体光效 易于解决散热问题 缺点： 工艺较复杂 光源体积更大 出现可靠性问题的几率更高 对二次光学系统的设计要求高 4 需要解决的主要问题 寿 命 光 效 工 艺 可靠性 成 本 —寿命 影响寿命的因素包括芯片、荧光粉、加工工艺、工作点设定和环境温度等等。 降低PN结到基板的热阻，设计良好的散热条件十分关键。 —光效 影响光效的因素主要是芯片光效、荧光粉的选择和涂敷（三基色的比例）、光学系统的设计和制作、驱动器效率。 在芯片确定后，光学系统起着决定性的作用。 —工艺 LED光源的制作是光机电的结合，工艺的设计和制造十分重要。 光效、寿命、可靠性等均与工艺密切相关。 工艺问题包括芯片筛选、贴片的一致性、焊接的可靠性、退火温度和时间、光学系统的制作等。 —可靠性 可靠性问题是最突出的问题。 影响可靠性的因素贯穿在自原始芯片到封装过程的所有环节。 焊接工艺、退火工艺和驱动电路的设计至关重要。 要协调解决光效、光衰和可靠性之间的矛盾。 —成本 性/价比是影响LED照明推广应用的关键。 小功率应用中，多芯片光源的优势体现不出来。多芯片光源的对手是单芯片大功率LED。 采用更低成本的小功率芯片与微细加工技术的完美结合，实现高性/价比。 5 目前进展 —3W多芯片光源 —1W多芯片光源 —5W多芯片光源 —22W灯板制作的广告射灯 —270W墙体射灯样品 —2-5W射灯 —3-7W水下射灯 6 发展趋势 单芯片功率将越来越大，但要用于大功率照明还需要集成。 多芯片集成技术将成为LED照明的关键技术。 多芯片方法目前将主要用于单芯片功率难以达到的地方。 由于方法本身所决定，三基色将在多芯片集成方法得到快速使用。 微细工艺的技术进步，二次、三次光学系统的使用，将使多芯片光源的光效以数倍的速度提高。 随着芯片的发展，多芯片光源的性/价比将迅速得到提高，价格的障碍将很快打破。 7 结束语 由于单芯片功率的局限，在相当长时间里多芯片集成功率光源将是大功率照明的主要光源。 由于性/价比因素和国内的芯片来源情况，用户将更多选择多芯片集成功率光源，因此将会有更多的用户关注它的进展，更多的企业参与它的开发。