半导体探测器试卷.pptVIP

* * * * * * 结合后，由于热运动，浓度大的向浓度小的扩散。 在PN结区，电子空穴很少，剩下的杂质正负离子形成空间电荷区，其内建电场方向由N区指向P区，阻止电子、空穴继续扩散，并造成P区中的电子和N区中的空穴，即少数载流子的反向漂移运动。当扩散运动和反向漂移运动达到平衡时，P区或N区的电子空穴浓度就不再变化。这个由杂质离子组成的空间电荷区，即PN结区，杂质原子均已电离，而导电的电子和空穴很少，亦称耗尽区，阻挡层，势垒区。 * * * * * * * * * * * * * （1）半导体探测器得到的gamma谱与闪烁谱仪相比，发生了质的变化。 能量分辨率可用FWHM表示： FWHM 或 ?E 称为半高宽或线宽，单位为：KeV。 以210Po的 E＝5.304MeV 的?粒子为例， 对一种PN结探测器，由于输出脉冲幅度的统计涨落引起的线宽为： (2) 探测器和电子学噪声 探测器的噪声由P-N结反向电流及表面漏电流的涨落造成； 电子学噪声主要由第一级FET构成，包括：零电容噪声和噪声斜率。 噪声的表示方法：等效噪声电荷ENC，即放大器输出噪声电压的均方根值等效于放大器输入端的噪声电荷，以电子电荷为单位；由于噪声叠加在射线产生的信号上，使谱线进一步加宽，参照产生信号的射线的能量，用FWHM表示，其单位就是KeV。例如，ENC＝200电子对，由噪声引