场效电晶体 - 国立屏东高工教师部落格.docVIP

第八章 場效電晶體之特性 一、1. 電晶體 (1)雙極性包含電洞和電子，所以稱為雙極性電晶體。(2)單極性電流只由多數載子所決定，P通道電洞，N通道電子，所以稱為單極性電晶體。場效電晶體（FETField Effect Transistor） 〝場效電場效〈Ex〉MOSFET是以何種效應控制汲源極間電流： (A)磁場 (B)電場 (C)光電 (D)電流 (E)崩潰效應 。〈〉(B) 3.(1)電流控制：是以輸入電iB來控制輸電i C的大小，所以電晶體是電流控制的元件。 (2)電壓控制：場效電晶體利用輸入電壓閘源極電壓V g s控制空乏區大小(控制通道大小(控制汲極電流( i D )，所以場效電晶體是電壓控制的元件。場效電晶體分類：(1)JFET：本身有通道只有空乏型一種。(2)MOSFET：又可分空乏型(depletion type)與增強型enhancement type）兩種。 三、FET的優、缺點：優點：(1)高輸入阻抗輸入採逆向偏壓Rin ∞大100 MΩ↑） 半導體元件輸入阻抗，排行： (2)FET易製，在IC所佔體積少。包裝密度高LSI皆使用之。(3)二支腳（源極(S)、汲極(D)）濃度、大小相同，可以對調。可當雙向開關。(4)雜訊適合在低準位放大器的輸入級使用常用高傳真的調頻收音機。(5)無熱跑脫現象熱穩定佳因為輸出電流的溫度係數為負B