数字电子技术基础第七讲.pptVIP

第七章 半导体存储器 2.从制造工艺上分类 7.2 只读存储器（ROM） 2. 二极管ROM电路 3.由CMOS构成 若把地址输入A1和A0看成是两个输入变量，数据输出看成是一组输出变量，则D3~D0就是一组A1~A0的组合逻辑函数。可写成： *由于任何组合逻辑函数都可以写成最小项之和的形式，因此任何组合逻辑函数都可以通过向ROM中写入相应的数据来实现。 解：首先将所给的逻辑函数展成最小项之和的形式。 例7.5.2 试用ROM设计一个2位二进制数的比较器。设这两个2位数分别为A＝A1A0，B＝B1B0。当AB时，Y1=1；当A＝B时，Y2=1;当AB时，Y3=1. 则选用16×3的ROM，实现电路如图7.5.2所示。 二 、E2PROM b. 擦除（写1）状态 三、 快闪存储器（Flash Memory） 7.3 随机存储器（RAM） 图7.3.2为1024×4位的RAM2114的工作原理图 * 存储矩阵：2114中有64行×（16×4)列＝4096个存储单元，每个存储单元都是由6个NMOS管组成，其示意图如图7.3.4所示。 二、 SRAM的静态存储单元 7.4.2 字扩展方式 图7.4.1是用8片1024×1的RAM构成1024×8的RAM接线图。 7.4.2 字扩展方式 每一片256×8的A0～ A7可提供28＝256个地址，为0～0到1～1，用扩展的字A8、 A9构成的两位