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嵌入式系统原理 宇航学院飞行器控制系 系统与仿真实验室 主讲教师 刘永善 4.1.3.2 NAND Flash NAND Flash结构——以K9F1208X0C为例 芯片内部结构 图4.1-15 NAND Flash芯片内部结构 4.1.3.2 NAND Flash NAND Flash结构——以K9F1208X0C为例 K9F1208X0C信号说明 信号地 GND 供电电源。根据型号不同，可能为1.8V、2.7V或3.3V。 Vcc Ready/Busy输出。指示器件内部操作的状态。 R/B 写保护。防止意外的编程操作或擦除操作。 nWP 写使能。向I/O接口写入命令、地址和数据。 nWE 读使能。连续的数据输出控制。 nRE 芯片使能，器件选择控制信号。 nCE 地址锁存使能。打开I/O接口到内部地址寄存器的通道。 ALE 命令锁存使能。打开I/O接口到内部命令寄存器的通道。 CLE 输入/输出信号。用于输入地址、命令和数据。 I/O0~I/O7 功能描述 信号名 4.1.3.2 NAND Flash NAND Flash操作——以K9F1208X0C为例 Block是NAND Flash中最大的操作单元，擦除以Block为单位完成，编程和读取以Page为单位完成。对NAND Flash操作需要三类地址： 块地址（Block Address） 页地址（Page