第1章--半导体器件20150320精品.ppt

* （三）、特性曲线 转移特性曲线 0 ID UGS UT 可近似用以下公式表示 当 时 为当 时的 输出特性曲线 UGS0 可以分为三个区域： 可变电阻区 恒流区 截止区 预夹断轨迹 二、N沟道耗尽型MOS管 增强型的MOS管UGS UT时才有导电沟道，工作电压受限制。如何解决？ 0 ID UGS UGS(off) 0 ID UGS UT 二、N沟道耗尽型MOS管 N 沟道耗尽型 P N N G S D 预埋了导电沟道 G S D UGS UGS(off) 0 ID 输出特性曲线 N P P G S D G S D P 沟道增强型 三、P沟道增强型MOS管 四、P沟道耗尽型MOS管 P 沟道耗尽型 N P P G S D G S D 预埋了导电沟道 六种场效应管特性曲线比较 绝缘栅型 P沟道 增强型 耗尽型 - - - 1.4.3 场效应管的主要参数 1．直流参数 ①夹断电压 UGS(off) ②开启电压 UGS(th) ③漏极饱和电流 IDSS ④直流输入电阻 RGS 2．交流参数 ①低频跨导 ②交流输出电阻 3．极限参数 增强型参数 耗尽型参数 耗尽型参数 1.4.4 场效应管的小信号模型 G S D 跨导