3-载流子输运现象.pptVIP

本章内容 载流子漂移与扩散 产生与复合过程 连续性方程式 热电子发射、隧穿及强电场效应 载流子漂移 杂质散射 杂质散射 例3：一硅晶样品掺入每立方厘米1016个磷原子，若样品的W=500μm，A=2.5×10-3cm2，I=1mA，Bz=10-4Wb/cm2，求其霍耳电压。 解： 根据有关公式得到霍耳系数 因此，霍耳电压为 载流子漂移 在半导体物质中，若载流子的浓度有一个空间上的变化，则这些载流子倾向于从高浓度的区域移往低浓度的区域，这个电流成分即为扩散电流。 扩散电流（diffusion current） 概念: 其中Dn=vthl称为扩散系数，dn/dx为电子浓度梯度。 对空穴存在同样关系 计算公式： 电子扩散电流密度 载流子扩散 假设电子浓度随x方向而变化，如图所示。 扩散电流密度公式的导出 由于半导体处于一定温度下，所以电子的平均热能不会随x而变，而只有浓度n(x)的改变而已 。 载流子扩散 电流 电子 电子浓度n(x) 距离x - l 0 l 首先考虑单位时间及单位面积中穿过x=0的平面的电子数目。由于处在非绝对零度，电子会做随机的热运动，设其中热运动速度为vth,平均自由程为l (l=vth·τc)。电子在x=-l，即在左边距离中心一个平均自