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高功率附加效率的InGaPGaAs功率HBT
第 26 卷 第 1 期 半 导 体 学 报 Vol. 26 No. 1
2005 年 1 月 CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS Jan. ,2005
高功率附加效率的 In GaP/ GaAs 功率 HBT
郑丽萍 袁志鹏 樊宇伟 孙海锋 狄浩成 王素琴 刘新宇 吴德馨
( 中国科学院微电子学研究所, 北京 100029)
( μ μ )
摘要 : 采用发射极基极金属自对准工艺 ,成功研制出了 InGaP/ GaAs 功率 HBT. 发射极尺寸为 3 m ×15 m ×16 的
功率器件的截止频率和最高振荡频率分别为 55GHz 和 35GHz. 在片 loadpull 测试表明 :当工作频率为 1GHz 时 ,器件
工作在 AB 类 ,该功率管最大输出功率为 235dBm ,最大功率附加效率达 60 % , P1dB 的输出功率为 21dBm ,对应增益
为 16dB ,工作电压为 35V.
关键词 : 功率附加效率 ; InGaP/ GaAs ; 功率 HBT
EEACC : 2560Z
+ ( )
中图分类号: TN322 8 文献标识码 : A 文章编号 : 2005
成深能级陷阱 ,引起了可靠性问题. 因而开始考虑以
1 引言 InGaP 替代 AlGaAs 作为发射极材料. InGaP 与 GaAs
间可实现良好的选择性腐蚀 ,提高了器件的成品率 ;
近年来 ,HBT 以其固有的:如单电源工作、高效 因为BE 结有更小的导带不连续和更大的价带不连
率、高功率密度、高线性度等优点 ,受到越来越多的 续 ,注入效率更高 ;而且 ,InGaP/ GaAs 界面的复合中
重视[1～3 ] . 目前,HBT 已广泛用于各种高频模拟和数 心密度比AlGaAs/ GaAs 低 ,因此基区电流小 , 电流增
字电路中. 移动通信业的快速发展带动了相关产业 益大. 由于以上优点,InGaP/ GaAs HBT 逐渐取代 Al
的发展 ,使得 GaAs HBT 以其优越的高频功率性能被 GaAs/ GaAs HBT , 成为目前 GaAs HBT 的主流产
广泛用于移动通信系统的射频功率放大器中. 全球 品[7 ,8 ] .
著名的手机功放供货商 RFMD 公司就采用了 GaAs 本文采用 BE 金属自对准工艺 , 设计和制作了
HBT 作为其产品的功率器件[4 ] . InGaP/ GaAs 功率异质结双极晶体管. 通过对材料外
近年来 , 由于国家加大投入,HBT 的研究工作获 延结构和器件几何尺寸的优化 ,获得了微波功率性
得了很大的进展. 在功率应用上 ,严北平等人研制出 能良好的器件.
了 S 波段的 AlGaAs/ GaAs 功率异质结晶体管 ,获得
了300mW 的峰值输出功率及 41 % 的最大功率附加 2 功率器件的设计和制作
效率[5 ] . 钱锋等人研制出了
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