形成黑斑片 黑心片主要成因ppt整理.ppt

序： EL成像下黑心片、黑斑片的照片： EL光强度和少子分布密度成正比： 黑斑与杂质原子分布无关： 黑斑处位错密度： 中心黑斑区域，位错密度107个/cm2 黑斑边缘区域，位错密度106个/cm2  无位错密度标准≤3000个/cm2 少子扩散长度与位错密度的关系： 扩散长度DL和EDP位错密度高的区域的关系图： 各个厂家硅片位错密度： 各个厂家硅片位错密度： 各个厂家硅片位错密度： 各个厂家硅片位错密度： 各个厂家硅片位错密度： 各个厂家硅片位错密度： 各个厂家硅片位错密度： 各个厂家硅片位错密度： 各个厂家硅片位错密度： 各个厂家硅片位错密度： 各个厂家硅片位错密度： 分析： 分析： 锅底料(拉制单晶硅棒结束时剩在石英坩埚内的硅料) 锅底料(拉制单晶硅棒结束时剩在石英坩埚内的硅料) 分析： 分析： 分析： 7. 江西LDK（多晶） W21JX70100 位错密度很高，106～107个/cm2，尤其是晶界附近存在大量的微缺陷、位错排、位错群和小角晶界，从位错形状上看，应该是111面上的缺陷。 1.近年来，单晶硅片供应商为了利益最大化，奉行只要单晶不掉苞就是好工艺。例无位错拉晶工艺要求籽晶用无位错拉晶切割，在拉晶过程中下种引颈长度要大于一个晶锭直径才能把位错排净，方可放肩。而现在引颈长度120-140mm完全低于6吋直径150mm单晶。 2.单晶收尾时锅底料要保证是投料量的10%左右，现在单晶供应商恨不得把坩埚内料全部拉完提尽。殊不知想多提走一点锅内料时，已造成坩埚内熔体过冷，一旦材料过冷必然掉苞。看起来完整收尾，实际早已掉苞，这样上返一个直径的单晶已是为错片。供应商把这些位错片完全轻而易举转嫁给用户。（见下图） 单晶的埚低还有较高浓度的C和金属杂质，回用的几率较小 3.多晶供应商近年来也一再缩短晶体定向凝固时间，一旦熔体潜热释放与热场温度梯度失配会造成位错。 * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * THANK YOU 谢谢 形成黑心片、黑斑片主要成因 汪义川、蒋仙 2008年7月16日 蒋仙2008年 7月份技术报告我看后深受启发。我采用蒋仙报告的数据为基础，参加当前EL照片中黑心片和黑斑片的来源确认实验的讨论。 EL照片中黑心片和黑斑片是反映在通电情况下该部分没有发出1150nm的红外光，故红外相片中反映出黑心和黑斑，发光现象和硅衬底少数载流子浓度有关。 1E14 3E13 1E13 3E13 7E13 8.7E+17 3.30E+16 1.00E+15 1.10E+16 4-2 1E14 3E13 1E13 1E13 7E13 1.31E+18 3.10E+16 1.10E+15 1.07E+16 4-1 黑斑 1E14 1E13 1E13 5E12 7E13 1.02E+18 1e16 2e14 1.31E+16 2-2 1E14 1E13 1E13 5E12 7E13 1.06E+18 1e16 2E14 1.30E+16 2-1 黑圈 Ni Fe Mn Cr Al O C P B 一般少数载流子的寿命和含污染杂质含量及位错密度有关。蒋仙作出了黑斑处边界两边（即有黑斑处和无黑斑处）杂质原子SIMS试验发现两边杂质原子含量一样，没有变化。 SIMS测试结果： 这样少数载流子的寿命和位错密度有关，蒋仙测了单晶黑斑中心区域位错密度107 个/cm2 ，如下面两张图所示： 黑斑边缘区域位错密度106个/cm2 均为无位错单晶要求1000～10000倍，这是相当大的位错密度了。 晶体硅片的扩散长度和位错密度是有联系的，用SPV（Surface Photo-Voltage）法测得多晶硅片的扩散长度和用tash腐蚀法测得位错密度EPD：Etch Pit Density进行比较，扩散长度DL短的区域恰恰是EDP位错密度高的区域。（见下图） 少子扩散长度与少子寿命公式： Lp=（Dpζ）0.5 本资料来自《夏普技报第93号（ 2005年12月刊）》——“High Efficiency Multi-crystalline Silicon Solar Cells” 蒋仙测了各厂家硅片的位错密度，如下： 1.镇江环太W02HT70185 位错密度：5*104～2*105个/cm2 2. 镇江环太W02HT70198 位错密度：3*104～2*105个/cm2 3. 镇江环太W02HT70106 位错密度：5*104～7*105个/cm2 4.浙江昱辉w02zy7002 位错密度：104～105个/cm2 5. 宁海日升W02RS7002 位错密度：6*104～105个/cm2 6. 江苏顺大W02SD70042 位