第1章 新型电力电子器件.ppt

第1章 电力电子器件 1.1 电力电子器件概述 1.2 典型电力电子器件的特性和参数 1.3 电力电子器件的应用 1.1 电力电子器件概述 半控型器件（Thyristor） ——通过控制信号可以控制其导通而不能控制其关断。 全控型器件（IGBT,MOSFET) ——通过控制信号既可控制其导通又可控制其关 断，又称自关断器件。 不可控器件(Power Diode) ——不能用控制信号来控制其通断, 因此也就不需要驱动电路。 1.1 电力电子器件的概述 电流驱动型——通过从控制端注入或者抽出电流来实现导通或者 关断的控制。 特点：具有电导调制效应，因而通态压降低，导通损耗小，但工作频率较低，所需驱动功率大,驱动电路较复杂 电压驱动型（场控器件） ——仅通过在控制端和公共端之间施加一定的电压信号就可实现导通或者关断的控制。 特点：输入阻抗高，所需驱动功率小，驱动电路简单，工作频率高。 1.1 电力电子器件的概述 硅（多晶硅和单晶硅） 碳化硅、金刚石 1.1 电力电子器件的概述 1.2.1 不可控器件—电力二极管(Power Diode) 电力二极管的特点和应用 普通整流管的特点是：漏电流小、通态压降较高(1 0～1 8V)、反向恢复时间较长(几十微秒)、可获得很高的电压和电流定额。多用于牵引、充电、电镀等对转换速度要求不高的装置中。 较快的反向恢复时间(几百纳秒至几微秒)是快恢复整流管的显著特点，但是它的通态压降却很高(1 6～4 0V)。它主要用于斩波、逆变等电路中充当旁路二极管或阻塞二极管。 电力二极管的特点和应用 肖特基整流管兼有快的反向恢复时间(几乎为零)和低的通态压降(0.3～0.6V)的优点，不过其漏电流较大、耐压能力低， 常用于高频低压仪表和开关电源。 目前的研制水平为: 普通整流管(8000V/5000A/400Hz) 快恢复整流管(6000V/1200A/1000Hz) 肖特基整流管(1000V/100A/200kHz)。 1.2.2 半控器件—晶闸管（Thyristor），又称可控硅整流器（Silicon Controlled Rectifier——SCR） 普通晶闸管广泛应用于交直流调速、调光、调温等低频(400Hz以下)领域，运用由它所构成的电路对电网进行控制和变换是一种简便而经济的办法。不过，这种装置的运行会产生波形畸变和降低功率因数、影响电网的质量。目前水平为12kV/1kA和6500V/4000A。 在特大功率的工频开关应用中，晶闸管以其耐压高、通态压降小、通态功耗低而应用在高压直流输电（HVDC）、动态无功功率补偿、超大电流电解等场合占有优势。 晶闸管的基本特性 晶闸管的主要参数——电压定额 断态重复峰值电压UDRM ——在门极断路而结温为额定值时，允许重复加在器件上的正向峰值电压。 反向重复峰值电压URRM ——在门极断路而结温为额定值时，允许重复加在器件上的反向峰值电压。 通态（峰值）电压UT ——晶闸管通以某一规定倍数的额定通态平均电流时的瞬态峰值电压。 晶闸管的主要参数——电流定额 通态平均电流 IT(AV） ——在环境温度为40?C和规定的冷却状态下，稳定结温不超过额定结温时所允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值。标称其额定电流的参数。 ——使用时应按有效值相等的原则来选取晶闸管。 维持电流 IH ——使晶闸管维持导通所必需的最小电流。 擎住电流 IL ——晶闸管刚从断态转入通态并移除触发信号后， 能维持导通所需的最小电流。对同一晶闸管来说，通常IL约为IH的2~4倍。 浪涌电流 ITSM ——指由于电路异常情况引起的并使结温超过额定结温的不重复性最大正向过载电流 。 晶闸管的主要参数——动态参数 除开通时间tgt和关断时间tq外，还有： 断态电压临界上升率du/dt ——指在额定结温和门极开路的情况下，不导致晶闸管从断态到通态转换的外加电压最大上升率。电压上升率过大，使充电电流足够大，就会使晶闸管误导通 。 通态电流临界上升率di/dt ——指在规定条件下，晶闸管能承受而无有害影响的最大通态电流上升率。如果电流上升太快，可能造成局部过热而使晶闸管损坏。 晶闸管的派生器件 双向晶闸管可视为一对反并联的普通晶闸管的集成，常用于交流调压和调功电路中。正、负脉冲都可触发导通，因而其控制电路比较简单。其缺点是换向能力差、触发灵敏度低、关断时间较长，其水平已超过2000V/500A。 光控晶闸管是通过光信号控制晶闸管触发导通的器件，它具有很强的抗干扰能力、良好的高