【2017年整理】3单级放大器1.pptVIP

2.3 MOS器件模型-MOS小信号模型;第五讲;共源放大器;电阻负载共源放大器;电阻负载; 当Vin继续增大，有 Vout =VDS ＜ Vin-Vth， M1进入线性区。 当Vin足够高, Vout =VDS ＜ ＜ Vin-Vth， ;MOS管工作在饱和区时，通过直流分析有;*;*; 电阻负载的缺点 不能精确控制电阻值 电阻值不能大，会导致摆幅下降 电阻的面积大?? 改进方法 采用MOS器件为负载 二极管接法 电流源 线性区MOS器件 ;*;*;*;*; 增益随Vin的线性增加，当输入信号摆幅较大时引入非线性;有源电阻;第六讲 2011.3.30，创104;以二极管连接做负载的共源级; 对Vin微分求Av ;*; 电阻、二极管连接MOS管负载的缺点 提高增益，增大负载电阻，会限制输出电压摆幅 ;*;*;*;*;*;*;*;*;复习 2011.4.2，创113;有源电阻;共源级放大器;dB=20log(Vout/Vin);第七讲 2011.4.2，创113;*;*;*;*;*;*;*;*;*;保证M1工作在饱和区; 课外提高题：设置合适的参数，采用Tanner软件比较下面三个电路的线性度（即仿真出输入输出关系曲线）;特点 增益非线性，摆幅减小，噪声大，高Rin，中/低Rout， 电压缓冲器 输入阻抗大，输出阻抗中/小。在高输出阻抗电路（如电流源负载的共源级）驱动低阻负载时，插入源随器做电压缓冲级，实现阻抗转换 电压平移电路;共栅放大器;*;*;*;*;*;复习 2011.4.6，禧403;*;*;第八讲 2011.4.6，禧403;*;*;共源共栅结构的一个重要特性是高输出阻抗 下图即为求其输出阻抗的等效电路图。;*;输出阻抗具体推导过程;*;对于图2; 比较两种提高增益的方法 第一种是在给定的偏置电流情况下通过增大输入晶体管的长度来增大增益；第二种是采用共源共栅增大增益 ;*; 举例，不考虑沟道效应，假设M1-M4过驱动电压VOV=0.2V，VDD=3.3V， VTH=0.7V 求Vout节点的最小输出电压 并确定当输出节点达到最小输出电压时，Vb1的电压值。 Vb1=1.6V时，Vout节点最小输出电压 ;*;*; 输出阻抗 ;采用EDA软件，分别仿真出以下电路的输入输出转移特性（横坐标输入，纵坐标为输出）、交流增益曲线。??给出仿真的条件（Vb1,Vb2,Vb3的值），指出曲线中重要的转折点的值，MOS管的W/L比根据学号选取。