11掺杂分析.pptVIP

半导体制造技术西安交通大学微电子技术教研室第十一章 掺 杂 目 标 通过本章的学习，将能够： 1. 解释掺杂在芯片制造过程中的目的和应用； 2. 讨论杂质扩散的原理和过程； 3. 对离子注入有一个总体认识，包括它的优缺点； 4. 讨论剂量和射程在离子注入中的重要性； 5. 列举并描述离子注入机的5各主要子系统； 6. 解释离子注入中的退火效应和沟道效应； 7. 描述离子注入的各种应用。 半导体制造常用杂质 具有掺杂区的CMOS结构 CMOS 制作中的一般掺杂工艺 硅片中的掺杂区 扩 散 扩散原理 三个步骤 预淀积 推进 激活 掺杂剂移动 固溶度 横向扩散 扩散工艺 硅片清洗 杂质源 扩散的概念 扩散是一种自然界及以发生的现象，扩散的发生需要两个必要的条件：浓度差；过程所必须得能量。 掺杂区和结的扩散形成 扩散后的晶园剖面图 硅中的杂质扩散 固态扩散的目的 在晶园表面产生一定数量的掺杂原子（浓度） 在晶园表面下的特定位置处形成NP(或PN)结 在晶园表面层形成特定的掺杂原子(浓度)分布 结的图形显示 理想的 横向扩散 浓度随深度变化的曲线 扩 散 工 艺 完成扩散过程所需的步骤： 1. 进行质量测试以保证工具满足生产质量标准； 2. 使用批控制系统，验证硅片特性；. 3. 下载包含所需的扩散参数的工艺菜单； 4. 开启扩散炉，包括温度分布； 5. 清洗硅片并浸泡氢氟酸，去除自然氧化层； 6. 预淀积：把硅片装入扩散炉，扩散杂质； 7. 推进：升高炉温，推进并激活杂质，然后撤除硅片； 8. 测量、评价、记录结深和电阻。 扩散工艺的步骤 预淀积 影响扩散层参数（结深、浓度等）的几个因素 杂质的扩散系数 杂质在晶园中的最大固溶度 硅中杂质的固溶度 1100°C 下硅中的固溶度极限 推进氧化 扩散常用杂质源 离 子 注 入 概况 掺杂剂浓度的控制 离子注入的优点 离子注入的缺点 离子注入参数 剂量 射程 硅片工艺流程中的离子注入 控制杂质浓度和深度 离子注入机示意图 离子注入机 离子注入的优点 1. 精确控制杂质含量； 2. 很好的杂质均匀性； 3. 对杂质穿透深度有很好的控制； 4. 产生单一粒子束； 5. 低温工艺； 6. 注入的离子能穿过掩蔽膜； 7. 无固溶度极限。 注入机分类 杂质离子的射程和投影射程 注入能量对应射程图 注入杂质原子能量损失 轻离子和重离子引起的晶格损伤 Ion Implanters 离子源 引出电极(吸极)和离子分析器 加速管 扫描系统 Process Chamber工艺腔 退火 沟道效应 颗粒 离子源和吸极装配图 Bernas 离子源装配图 离子源和吸极交互作用装配图 分析磁体 离子注入机分析磁体 加 速 管 剂量与能量图 高能注入机的线形加速器 空间电荷中和 中性束流陷阱 硅片的静电粒子束扫描 注入阴影效应 离子注入硅片的机械扫描 控制硅片充电的电子喷淋 控制硅片充电的离子喷淋 离子注入机的终端口 注入工艺腔的硅片传送器 法拉第杯电流测量 硅单晶的退火 沿 110 轴的硅晶格视图 离子人射角与沟道 来自颗粒沾污的注入损伤 离子注入在工艺集成中的发展趋势 不同注入工艺的实例 深埋层 倒掺杂阱 穿通阻挡层 阈值电压调整 轻掺杂漏区 (LDD) 源漏注入 多晶硅栅 沟槽电容器 超浅结 绝缘体上硅 (SOI) 注入埋层 倒掺杂阱 防止穿通 阈值电压调整的注入 源漏区形成 沟槽电容器的垂直侧墙上杂质注入 超 浅 结 CMOS 晶体管和 具有埋氧化层的CMOS晶体管  Chapter 17 Review Quality Measures 508 Troubleshooting 509 Summary 510 Key Terms 511 Review Questions 512 Equipment Suppliers’ Web Sites 513 References 513 前板 狭缝 起弧室 灯丝 电子反射器 气体入口 5 V 电子反射器 阳极 +100 V 起弧室 气化喷嘴 电炉 气体导入管 DI 冷却水入口 掺杂剂气体入口 Figure 17.12 +++++++ +++++++ --- - - - - - - - - - N S N S 120 V 起弧 吸出组件 离子源 60 kV 吸引 2.5 kV 抑制 源磁铁 5V 灯丝 To PA +粒子束 参考端 (PA电压) 抑制电极 接地电极 Figure 17.13 石磨 离子源 分析磁体 粒子束 吸出 组件 较轻离子 重离子 中性离子 Figure 17.14 Photograph courtesy of