半导体物理2013第十章.ppt

第10章 半导体的光学性质;10.1 半导体的光吸收10.1.1 吸收系数，反射系数和透射系数;由电磁场理论，光波在媒质（半导体）中传播，光强I随传播距离x的变化 式中，ω为光波角频率；c为光速；k为消光系数 吸收系数表示式 λ为入射光在自由空间的波长,k为媒质的消光系数。对于吸收系数很大的情况（例如 ），光的吸收实际上集中在晶体很薄的表面层里。;2 反射系数和透射系数 当光波（电磁波）照射到导电媒质界面时，必然发生反射和折射。考虑光从空气垂直入射于折射率N=n-ik的媒质界面时： 反射系数：指界面反射能流密度和入射能流密度之比，用R表示（n为媒质折射率） 透射系数：指透射能流密度和入射能流密度之比值，用T表示（d是半导体样品厚度）;光吸收:光在电介质中传播时强度衰减的现象，即产生光的吸收。;2.本征吸收长波限;光吸收时半导体中电子的跃迁要求 ——能量守恒，准动量守恒。 能量守恒和动量守恒 上式近似写成;4. 直接跃迁（竖直跃迁） 概念：在本征吸收过程中，价带中的一个电子仅仅只吸收一个光子，而不涉及与晶格振动交换能量，便被激发到导带中去的跃迁过程。 跃迁前后能量改变为 跃迁前后动量没有改变 ——电子跃迁前后波矢k没有发生改变;直接带隙材料：导带极小值和价带极大值都处于同一波矢k的半导体材料（GaAs, GaSb等） 直接跃迁的吸收光谱是连续的吸收带，对于直接带隙半导体可以从光吸收的测量来求得禁带宽度的数值。;5. 间接跃迁（非竖直跃迁） 概念：在半导体本征吸收过程中电子激发，不但吸收光子的能量而且还与晶格热振动交换能量的跃迁过程。 跃迁前后能量改变为 跃迁前后动量没改变 ;间接带隙材料：导带极小值和价带极大值不在同一波矢k的半导体材料（Si, Ge） ; 比本征吸收限波长还长的光子也能被吸收，因为还存在其他吸收过程，如：激子吸收、自由载流子吸收、杂质吸收及晶格振动吸收。; 2. 自由载流子吸收 对重掺杂的n型半导体或重掺杂的p型半导体，n型半导体中的电子或p型半导体中的空穴都出现载流子的简并化。这样n型半导体的电子可以吸收光子的能量之后发生在导带中不同能级之间的跃迁，而将能量转给晶格；同样p型半导体的空穴也可以吸收光子的能量之后发生在价带中不同能级之间的跃迁，而将能量转给晶格，这样的光吸收过程都是自由载流子在同一能带内的跃迁引起的，称为自由载流子吸收。 自由载流子吸收是在同一能带中发生不同状态（能级）之间的跃迁，因此吸收的光子能量不需要很大，所以吸收光谱一般在红外范围，并且随着波长增大而加强。 ;3. 杂质吸收 当温度较低时，半导体施主能级上束缚的电子（或受主能级上束缚的空穴）没有电离，被束缚的电子（或被束缚的空穴）吸收光子的能量之后，可激发到导带（或价带）中去，这样的光吸收过程称为杂质吸收。杂质吸收也具有长波限hν0=Ei（杂质电离能），吸收光谱主要集中在吸收限Ei附近。 4. 晶格振动吸收 半导体晶格热振动也可引起对光的吸收，光子能量直接转变为晶格热振动的能量，使半导体的温度升高，这样的光吸收过程称为晶格振动吸收。晶格吸收光谱在远红外范围，对于离子晶体或离子性较强的化合物具有较明显的晶格振动吸收作用。;;10.2 半导体的光电导10.2.1 光电导的描述;定态光电导：指在恒定光照下产生的光电导，常用Δσs 表示。研究材料的光电导主要是研究光照下半导体附加电导率Δσ与哪些参数有关、光电导如何随光强度变化等问题。 光电导的弛豫：光照——光电导率逐渐增加——稳定；停止光照后——光电导率下降 设I：以光子数计算的光强度（即单位时间通过单位面积的光子数），α为吸收系数，则 ;光生载流子浓度随时间的变化;(;(;⒉强注入（抛物线性光电导）;⒊光电导灵敏度及光电导增益 光电导一般指单位光照度引起的光电导。在一定光照下，定态光电导Δσs（对应Δns）越大，其灵敏度也越高。 前面推导的小注入时的Δns公式为： 可以看出，如果考虑到光电导灵敏度的话，材料光电导的弛豫时间（由寿命τ来体现）越大，光电导的定态值也越大（即灵敏度越高）。; 但另一方面，寿命τ大，意味着弛豫时间长，也就是光敏材料对光信号的反应慢。所以在实际应用中，常希望得到较大的光电导灵敏度（即要求大的弛豫时间τ），又希望能有较好的高频信号响应（反应快，即小的弛豫时间τ），二者是相互矛盾的