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一、填空1.半导体的导电能力介于 __________ 和_________之间。
2.PN节加正向电压,处于_________状态;加反向电压,处于___________状态。
3.晶体管工作在截止区的条件是,发射结和集电结均________偏置;晶体管工作在饱和区的条件是,发射结和集电结均________偏置。
4.负反馈对放大电路性能的影响:_________放大倍数、提高______的稳定性、改善______。
5.直流稳压电源要将交流电变为满足要求的直流电,一般要经过_______ 、_______、________、_______四个环节。
6.单相半波整流电路,变如果压器二次侧电压的有效值为10V,则二极管承受的最高反向电压为 ____________V,上述电路,加上电容滤波后,二极管承受的最高反向电压为_________V。
7.一与非逻辑门电路,如果A=1,B=1,则Y=_________。
8.十进制数15转化为二进制数是________,二进制数11011转化为十进制数是_____。
9.JK触发器是在脉冲________触发。D触发器是在脉冲_______触发。
二、选择题:
1.输入变量为A、B的半加器,当A=B=1时,它们的半加和为()。
1 B.0 C.10 D.11
2.若共发射极放大电路的IE=1.3mA,β=40,那么晶体管的输入电阻rbe约为()Ω。
1020 B.382 C.820 D.267
3.共发射极放大电路的RC=4KΩ,RL=4KΩ,那么放大电路输出电阻r0约为( )。
4KΩ B.2KΩ C.8KΩD.1KΩ
4.图示电路,已知,,UCE=0.3V,可判断三极管的工作状态为( )
A.放大状态 B.截止状态 C.饱和状态 D.无法判断
5.在晶体管的共发射极输出特性曲线上决定晶体管安全区的参数有( )
A.β B.ICBO C.ICEO D.ICM
三、判断正误1.N型半导体,自由电子多于空穴,所以N型半导体带负电。
2.阻容耦合和变压器耦合放大电路能够放大交流信号,但是不能放大缓慢变化信号和直流传号。
3.差分放大电路的差模放大倍数愈大愈好,而共模放大倍数愈小愈好。
4.在硅稳压管稳压电路中,负载电流愈小,则稳压管的电流也愈小。
5.组合电路和时序逻辑电路是数字电路的两大类,门电路是组合逻辑电路的基本单元;触发器是时序逻辑电路的基本单元。
6.对于二极管的半波整流电路,二极管通过的电流与直流负载中通过的电流相等。
在单相桥式整流电路中,二极管通过的电流与直流负载的电流一样。
三极管不仅具有电流放大作用,还具有开关特性,即可处于截止或饱和状态。
减少放大电路的截止失真的办法,只能减小基极电阻RB,使静态工作点沿负载线上移到合适的位置。
射极输出器输出电压与输入电压的相位相反。
2.如图所示反相比例运算电路中,设R1=10 KΩ,RF=500 KΩ,试求闭环电压放大倍数Auf和平衡电阻R2。若ui=10mV,则uo为多少?
3.有一单相全波整流电路,已知负载电阻RL=750Ω,变压器二次电压有效值U=10V,试求UO,IO,URM。
六、逻辑电路分析
1.分析电路的逻辑功能(要求写出逻辑式并化简,列出逻辑状态表,最后分析出逻辑功能)
七、逻辑电路设计
试设计一逻辑电路供三人(A、B、C)表决使用,每人有一电键,如果他他赞成就按电键,表示1,如果不赞成,不按电键,表示0,表决结果用指示灯来表示,如果多数赞成,则指示灯亮,Y=1,反之则不亮,Y=0。
一、填空
1.同时存在着_____________导电和___________ 导电,是半导体导电的特点。
2.晶体管放大的外部条件是:发射结必须________偏置。集电结必须_________偏置。
3.放大电路中负反馈有四种类型___________、___________、____________ 、__________。
4.放大电路要减小输入电阻、增大输出电阻应该引入________负反馈。要增大输入电阻、稳定输出电压应该引入________负反馈。
5.有一单相半波整流电路,若要求整流电压为UO为45V,则变压器二次侧电压的有效值为_________V,如果电路为桥式整流电路,要求整流电压为UO为45V,则变压器二次侧电压的有效值为_______V。
6.基本逻辑门电路有 ____________、_________、________。
7.一或非逻辑门电路,如果A=1,B=1则Y=_________。
8.十进制20转化为二进制数是__________,二进制数1101转化为十进制数是_____。
9.JK触发
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