门电路-数字电子技术.pptVIP

第3章 门电路 3.1 概述 获得高、低电平的基本原理 4. 集成电路 IC（Integrated Circuits）：将元、器件制作在同一硅片上，以实现电路的某些功能。 SSI（Small-Scale Integration）：? 10个门电路。 MSI（Medium-Scale Integration）：10~100个门电路。 LSI（Large-Scale Integration）：1000~10000个门电路。 VLSI（Very Large-Scale Integration）：? 10000个门电路。 二极管构成的门电路的缺点 电平有偏移 带负载能力差 只用于IC内部电路 3.3 CMOS门电路3.3.1MOS管的开关特性 一、MOS管的结构 二、输出特性 漏极特性曲线（分三个区域） 截止区 恒流区 可变电阻区 漏极特性曲线（分三个区域） 截止区：VGSVGS(th)，iD = 0, ROFF 109Ω 漏极特性曲线（分三个区域） 恒流区： iD 基本上由VGS决定，与VDS 关系不大 漏极特性曲线（分三个区域） 可变电阻区：当VDS 较低（近似为0）， VGS 一定时， 这个电阻受VGS 控制、可变。 四、等效电路 五、MOS管的四种类型 增强型 耗尽型 二、