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深圳大学-数集成电路(中文)第五章
第五章 CMOS反相器 ;The CMOS 反相器: 概貌;CMOS反相器的几个设计指标;CMOS 反相器;CMOS反相器的级联;CMOS 反相器简单直流分析;静态CMOS的重要特性;电压传输特性 VTC;PMOS 特性曲线;CMOS 反相器的负载特性 ;CMOS 反相器 VTC ;CMOS 反相器: 瞬态响应;开关阈值;开关阈值曲线分析的意义;例:改变阈值提高电路的可靠性;VIH and VIL 的求解;反相器增益;VTC的仿真结果 ;增益与 VDD的关系;电源电压不能无限制的降低;工艺误差的影响;传输延时;CMOS 反相器的传输延时;瞬态响应;提高性能的设计;延时与电压VDD的关系;延时与器件尺寸;传播延时与NMOS/PMOS 之比;输入上升时间与传输延时;反相器尺寸;反相器延时;反相器延时;反相器尺寸与延时;延时公式;反相器尺寸与延时;延时与器件尺寸;反相器链;应用到反相器链;给定N求解最小延时;最小延时和级数的关系;例 5.1;最优级数;最优的等效扇出 f;标准 化延时与 F 的关系;Buffer 设计;功耗;CMOS中的功耗问题;动态功耗;动态能量; 代表消耗能量的翻转频率-开关活动性
不断提高:工艺的进步
总面积CL增加:规模的增加;低能量-功耗设计
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