第4章_半导体二极管和晶体管2(刘如银)研讨.ppt

2009-2-9 电路与模拟电子技术基础 4.3 晶体三级管 BJT：Bipolar Junction Transistor ——双极型晶体管 ——（晶体三极管、半导体三极管） ﹡双极型器件 两种载流子（多子、少子） 4.3.1 晶体管的结构及其类型 4.3.2 晶体管的电流分配与放大作用 （以NPN管为例） 一、放大状态下晶体管中载流子的运动 外加偏置电压要求 二、电流分配关系 晶体管是流控元件 晶体管的主要功能： 电流控制 （基极电流控制集电极电流） 电流放大 （放大的比例关系一定） 4.3.3 晶体管的共射特性曲线 晶体管特性曲线：描述晶体管各极电流与极间电压关系的曲线。 下面以共射极电路为测试电路 4.3.3.1 共射极输入特性曲线 共射组态晶体 管的输入特性： 4.3.3.2 共射极输出特性曲线 共射组态晶体管的输出特性： 它是指一定基极电流IB下，三极管的输出回路集电极电流IC与集电结电压UCE之间的关系曲线。 一、放大区 ★发射结正向偏置， 集电结反向偏置 1、基极电流 iB 对集电极电流 iC 的控制作用很强 放大区 2、uCE 变化时, iC 影响很小（恒流特性） 二、饱和区 ★发射结和集电结均正向偏置 饱和区 饱和区 饱和压降UCE(sat)： 饱和时，集电极和发射极之间的电压 UCE(sat) = 0.3V （小功率Si管） ； UCE(sat) = 0.1V （小功率Ge管） 。 三、截止区 ★发射结和集电结均反向偏置 4.4.3.2 共射极输入特性曲线 共射组态晶体 管的输入特性： 4.3.4 晶体管的主要参数 一、电流放大系数 1、共射直流放大倍数 2、共射交流放大倍数 μA mA V V i B i C U CC U BB R C R B ＋ － u BE ＋ － u CE ＋ － 它是指一定集电极和发射极电压UCE下，三极管的基极电流IB与发射结电压UBE之间的关系曲线。 c I C e I E N P N I B R C U CC U BB R B I b I BN I EP I EN I CN C1 常认为： * 几种常见晶体管的外形 e c b 发射极 基极 集电极 发射结 集电结 基区 发射区 集电区 N P N c b e NPN (a) NPN管的原理结构示意图 (b) 电路符号 （base） （collector ） （emitter） 符号中发射极上的箭头方向，表示发射结正偏时电流的流向。 晶体管的结构 PNP c b e (b) 电路符号 (a) PNP型三极管的原理结构 符号中发射极上的箭头方向，表示发射结正偏时电流的流向。 图：平面管结构剖面图 ＊结构特点 1、三区两结 2、基区很薄 3、e区重掺杂 c区轻掺杂 b区掺杂最轻 4、集电区的面积则比发射区做得大，这是三极管实现电流放大的内部条件。 BJT 处于放大状态的条件： 内部条件： 发射区重掺杂(故管子e、 c极不能互换) 基区很薄(几个?m) 集电结面积大 外部条件： 发射结正偏 集电结反偏 NPN型晶体管的电流关系 对 NPN管 UC ＞ UB＞ UE UC UE UB 对 PNP管 要求 UC ＜ UB ＜ UE UC UE UB c I C e I E N P N I B R C U CC U BB R B I CBO 15V b I BN I EP I EN I CN IEP :基区向发射区扩散所形成的空穴电流(很小) :集电区与基区之间的漂移运动所形成的电流(很小) c e I E N P N I B b I BN I EN I CN I CBO I C 共射极直流电流放大系数 一般 1、直流电流放大系数 i c e b i B C 输出 回路 输入 回路 e c b i B i E c e i E i C b (a)共发射极 (b)共集电极 (c)共基极 μA mA V V i B i C U CC U BB R C R B ＋ － u BE ＋ － u CE ＋ － μA mA V V i B i C U CC U BB R C R B ＋ － u BE ＋ － u CE ＋ － 它是指一定集电极和发射极电压UCE下，三极管的基极电流IB与发射结电压UBE之间的关系曲线。 c I C e I E N P N I B R C U CC U BB R B I b I BN I EP I EN I CN C1 u C E / V 5 10 15 0 1 2 3 4 i C / m A I c C e I E N P N I B R C U CC U BB R B