薄膜太阳能电池发展概况.docVIP

薄膜太阳能电池发展概况业能否大范围普及的关键。薄膜太阳能电池能够大幅度降低电池成本，近年来得到了较快的发展 2.薄膜电池分类以及发展 薄膜太阳能电池具有多种分类[1]，按照吸收层材料，可分为硅系、多元化合物和有机薄膜太阳电池。硅系薄膜主要包括非晶硅薄膜，多晶硅薄膜；多元化合物薄膜主要包括III-VI族二元化合物，如碲化镉、硫化镉薄膜；III-V族二元化合物，如砷化镓、磷化铟薄膜太阳电池；I-III-VI2族三元化合物，如铜铟硒、铜铟硫薄膜；有机薄膜主要包括染料敏化剂薄膜和聚合物薄膜。上述的电池的结构以及优点各不相同，分别进行介绍 2.1硅系薄膜太阳电池 硅薄膜太阳能电池按照材料可细分为非晶硅、多晶硅和微晶硅薄膜太阳电池；其中以多晶硅薄膜太阳电池的应用最为广泛 2.1.1非晶硅薄膜太阳电池 1976年，非晶硅薄膜太阳电池由RAC实验室的Carlson等研制成功，也是最早实现商业化[2]。随后，其得到了较快的发展。钟迪生等采用等离子体化学气相沉积法特别是RF辉光放电法制作高质量的非晶硅薄膜；United Solar Ovonic完成了面积929cm2的a-Si薄膜太阳能电池，转换效率达9.8%，利用减反射层可使小面积的电池效率达到12%；日本的Ichikawa等使用柔性树脂薄膜衬底，利用roll-to-roll CVD在50cm×1km的树脂基底上制备a-Si/a-SiGe太阳能电池，效率达10.1%；日本中央研究院制的的非晶硅电池的转化效率已经达到13.2% 国内，中科院半导体所研制的玻璃衬底非晶硅单结太阳能电池，效率达11.2%；南开大学薛俊明等采用PECVD技术制备非晶硅顶电池，采用甚高频PECVD技术制备出微晶硅底电池，研制出效率达9.83%的薄膜非晶硅/微晶硅叠层太阳能电池；美国国家再生能源实验室利用堆叠技术，制得三结叠层太阳能薄膜，转换率达到12%。但是非晶硅的带隙为1.7eV，对应吸收波长为730nm，与太阳光谱长波区域不匹配，理论上限制了其转换效率的提高。此外，随光照时间的延长，转化效率会明显衰减。目前，稳定的单结非晶硅薄膜太阳能电池的转换效率最高达9.5%，而量产的效率只维持在8%左右 2.1.2多晶硅薄膜电池 多晶硅薄膜太阳电池以生长在衬底上具有纳米尺寸和具有不同晶面的小晶粒构成的多晶硅薄膜作为吸收层，通常可以采用化学气相沉积法、液相外延法、金属诱导晶体法、非晶硅薄膜固相晶化法或等离子喷涂法形成。Kaneka公司设计的STAR结构的多晶硅薄膜电池，效率已经达到了10.7%，厚度小于5um，并且无光致衰减现象；另一种SIO结构的多晶硅薄膜电池100cm2，获得了14.22%的效率；H.orikawa等制备出了效率高达16%的多晶硅薄膜电池；日本三菱公司用该法制备电池，效率达到16.42%。德国费来堡太阳能研究所采用区域在再结晶技术在Si衬底上制的多晶硅电池转换效率为19%。理论计算表明，多晶硅薄膜太阳能电池的最高效率可达28%。与单晶硅电池相比，多晶硅薄膜电池厚度约为前者，大大的降低了生产成本，且在长波段具有高光敏性，吸光好，稳定性高，无光致衰退效应，制作工艺简单，具有广阔的发展前景 2.2多元化合物薄膜太阳电池 2.2.1II-VI族薄膜电池 在II-VI族化合物半导体材料主要包括碲化镉、硫化镉，用该半导体制作的太阳能电池有很高的理论转换效率。CdTe薄膜电池通常以CdS/CdTe异质结作为吸收层，填充因子高达FF=0.75，并且其容易沉积得到大面积的薄膜，沉积速率也较高，膜的厚度通常为1.5-3μm。因而CdTe薄膜电池制造成本也得以大大的降低低，应用前景良好。它已经成为欧美、日、韩等国研究开发的主要对象。托莱多大学的鄢炎发博士采用溅工艺制得效率为14%的碲化镉太阳能电池；采用近空间升华法制得效率高于15.8%的碲化镉太阳能电池。在国内，四川大学太阳能材料与器件研究所的冯良恒，制备出转换效率高达11.6%的碲化镉薄膜太阳能电池，进入了世界先进行列。CdS半导体具有纤锌矿结构，属于直接带隙半导体材料，带隙宽度为2.4eV，光吸收系数较高，透光性好，主要用于薄膜太阳电池的n型窗口材料，可以与碲化镉、铜银硒形成良好的异质结结构。但是，由于Cd元素对环境污染严重，阻碍了CdS/CdTe电池的应用 2.2.2I-III-VI2族化合物薄膜太阳电池 I-III-VI族化合物半导体是指以具有黄铜矿、闪锌矿晶体结构作为吸收层的太阳电池，通常可以掺入即形成四元化合物半导体吸收层。I-III-VI2族化合物半导体的研究集中在CuInSe2、Cu（In，Ga）Se2、CuInS2等材料，上述半导体材料具有禁带宽度连续可调，吸收系数高的优点。日本昭和石油公司创下了