第一章 电路及本元器件.pptVIP

知识要点 电路及基本物理量 电路中的基本元器件 电压源和电流源 基尔霍夫定律 支路电流法 电路中电位的计算;知识要点;1.1 电路和电路模型;二、电路模型 ; 常用理想电路元件图形符号 ;1.2 电路的基本物理量及其参考方向 ;2、电流的方向 ;二、电压和电动势 ;2、电动势; 三、电功率和电能 ;2、电能;1.2 电路中的基本元器件 ;2、伏安特性 ;常用电阻元件的外形与图形符号 ;二、电感元件 电感元件是实际电感器的理想化模型，它是反映电路器件储存磁场能量这一物理性能的理想元件。 如图1-5所示，一个电感线圈，当电流通过后，会产生磁通，若磁通与N匝线圈相交链，则线圈的磁链：  图1-5 ;常见电感器的外型和图形符号 ;三、电容元件 ;常用电容元件的外型与图形符号 ;四、半导体二极管; (2)PN结及其特性 ;2、二极管的结构与特性 ;3、二极管的伏安特性曲线（硅管）;五、半导体三极管;2、三极管的电流放大作用  三极管工作在放大状态的条件是：发射结正偏，集电结反偏。 ;(1)电流分配关系：发射极电流等于基极电流和集电极电流之和，即： (2)电流比例关系：IC与IB的比值称为三极管的共发射极直流放大系数，即： (3)电流控制关系 ：△ IC与△ IB的比值称为三极管共发射极交流电流放大系数，即： ;3、三极管的伏安特性曲线 ; (1)输入特性 死区电压：硅管约为0.5V，锗管约为0.2V； 导通电压(发射结)：硅管约为0.7V，锗管约为0.3V。 (2)输出特性 截止区： UBE小于死区电压，IC≈ 0，UCE ≈UCC，。 饱和区：集电结正向偏置 ，UCE＜UBE， IC≈ UCC/RC 。 放大区：发射结正偏，集电结反偏 , IC≈βIB。 ;六、MOS型场效应晶体管 ;MOS型场效晶体管的图形符号 ;七、晶闸管;八、集成电路;1.3 电压源和电流源;2、实际电压源;二、电流源;2、实际电流源;1.4 基尔霍夫定律 ;二、基尔霍夫定律 ; ;2、基尔霍夫电压定律（KVL） ;KVL应用于电路 ;KVL可以推广应用到电路中任一不闭合的假想回路;1.5 支路电流法 ;例：列写图1-22中求解支路电流的方程组。 I1R1+I3R3-US3-US1=0 I5R5+I4R4+US3-I3R3=0 -I2R2+US2-I4R4=0;1.6 电路中电位的计算;例：计算图1-23中各点的电位。 ; 在电子电路中，电源的一端通常是接地的，为了作图简便，习惯上不画电源，而在电源的非接地端标注其电位的数值。图1-24（a）、图1-24（b）是等价的。