NCVM彩色非导电性镀膜工艺.ppt

NCVM 學習簡報 NCVM-Painting 目 錄 技朮背景 VM：是Vacuum Metallization 的缩写，即真空镀膜。 按照成膜机理不同：VM分为PVD与CVD。PVD又有溅镀、 蒸镀、離子鍍之分。 按照镀膜功能不同：VM又有CVM与NCVM之分，即导电性 镀膜与非导电性镀膜---Non-conductive vacuum metallization TNCVM即为彩色非导电性镀膜工艺。 PVD：是Physical Vapor Deposition的缩写，即物理氣相沉積。 它是在真空條件下，利用各種物理方法，將鍍料氣化成原子、 分子、離子，直接沉積到工件表面的方法。 蒸鍍：是在真空條件下，運用電阻加熱方式加熱蒸發物質，使之蒸發 成氣態，氣態粒子流直接射向工件，并在工件表面沉積成固態 薄膜的物理過程。 技朮背景 技朮背景 高金屬質感、艷麗飽滿的色彩效果 優異的功能性(高硬度、高耐磨性) 底材選擇多樣化：金屬、玻璃、塑膠 制程良好的穩定性及再現性 解決高光塗裝諸多外觀問題 環保 技朮背景 降低物質的沸點和氣化點 減少氣體分子之間的碰撞次數 提高金屬蒸氣分子的平均自由程 減少氣體、雜質，提供清潔工作條件 減少空氣對金屬氧化等不良影響 相對濺鍍附著力差、成本低、對工件形狀不敏感 技朮背景 技朮背景 真空定義： 1大氣壓下，1mol氣體(6.05*1023molecule)佔有 22.4L 空間，相當於1cm3空間內有1019氣體分子，氣體 對氣壁碰撞產生壓力，大小為760mm汞柱或稱760Torr。 注意： 真空技術中，一密閉容器內保持真空，並不是指真 正的空，也就是內部並非全無氣體。在所謂的高真空狀 態下，仍有為數可觀的氣體。 技朮背景 1atm(大氣壓) =760mmHg =760Torr =1.013×105Pa =1013mbar =14.7psi =1.03327kg/cm2 技朮背景 氣體分子密度： 表示單位體積氣體分子數目，與氣體壓力、溫度 有關，一般在760Torr下，0 ℃時，氣體分子密度為： 2.7*1019 molecule/cm3 由此推算： 0 ℃時， 760Torr=2.7*1019 molecule/cm3 1Torr=3.55*1016 molecule/cm3 5*10-2Torr=1.78*1015 molecule/cm3 6*10-5Torr=2.13*1012 molecule/cm3 技朮背景 氣體分子自由程： 一個氣體分子相鄰前后兩次碰撞所經歷的路程。 氣體分子平均自由程： 一個系統內所有氣體分子彼此碰撞所經經歷的平 均距離，或者同一分子在規定時間內連續碰撞所經歷 的平均值。 自然環境中，氣體分子一直在高速直線運動，常溫 下速度為470m/s(約為音速)。因氣體分子密度高，分子 一直在彼此碰撞，人感覺不到氣體分子在運動。真空環 境下，氣體分子碰撞幾率降低，自由路徑加長。 技朮背景 常溫下氣體分子平均自由程： 760Torr=3.72*10-8 cm 1*10-3Torr=5 cm 2*10-4Torr=25 cm 1*10-4Torr=50 cm 5*10-5Torr=100 cm 5*10-2Torr=0.1 cm 6*10-5Torr=83cm 技朮背景 氣體負荷： 真空系統的目的，是要制造一個壓力低，氣體分 子數目少的空間，真空室內氣體來源如下圖示： 技朮背景 不同真空度，氣體負荷來源不同： 10-1Torr以上，主要氣體負荷：原有體積氣體； 10-1Torr~10-3Torr：水蒸氣(來自真空桶壁與被鍍物)； 10-4Torr~10-6Torr：水蒸氣、CO、H2…… 因此，真空度抽到10-4Torr時，真空腔若無漏氣， 主要氣體來源是真空腔壁與真空腔內零組件表面釋 放出的氣體，以及被鍍物本身的釋氣。 技朮背景 真空區域劃分： 真空指壓強小于101,325P