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半导体器件 基本知识 ;; 半导体的导电机理不同于其它物质，所以它具有不同于其它物质的特点。比如：;1.2 本征半导体;通过一定的工艺过程，可以将半导体制成晶体。;硅和锗的晶体结构;硅和锗的共价键结构;共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为束缚电子，常温下束缚电子很难脱离共价键成为自由电子，因此本征半导体中的自由电子很少，所以本征半导体的导电能力很弱。;本征半导体的导电机理;+4;本征半导体的导电机理;本征半导体的导电机理;1.3 杂质半导体;N型半导体;+4;N型半导体;P型半导体;+4;总 结;杂质半导体的示意表示法;§2 PN结及半导体二极管;P型半导体;扩散的结果是使空间电荷区逐渐加宽，空间电荷区越宽。;漂移运动;－;1、空间电荷区中没有载流子。;2.2 PN结的单向导电性;PN结正向偏置;PN结反向偏置;2.3 半导体二极管;PN结;(2)、伏安特性;(3)、主要参数;（3）???向电流 IR;（4）微变电阻 rD;（5）二极管的极间电容;为了形成正向电流（扩散电流），注入P区的少子（电子）在P区有浓度差，越靠近PN结浓度越大，即在P区有电子的积累。同理，在N区有空穴的积累。正向电流大，积累的电荷多。;CB在正向和反向偏置时均不能忽略。而反向偏置时，载流子很少，扩散电容可忽略。;例：二极管的应用：;§3 特殊二极管;稳压二极管的参数;（4）稳定电流IZ、最大、最小稳定电流Izmax、 Izmian。;3.2 光电二极管;3.3 发光二极管;§4 半导体三极管;B;B;4.2 电流放大原理;B;IB=IBE-ICBO?IBE;4;B;4.3 特性曲线;（1）输入特性;（2）输出特性;IC(mA );IC(mA );（3）主要参数;工作于动态的三极管，真正的信号是叠加在直流上的交流信号。基极电流的变化量为?IB，相应的集电极电流变化为?IC，则交流电流放大倍数为：;例：UCE=6V时：IB=40?A, IC=1.5mA； IB=60 ?A, IC=2.3mA。;2.集-基极反向截止电流ICBO;3.集-射极反向截止电流ICEO;B;4.集电极最大电流ICM;5.集-射极反向击穿电压;6.集电极最大允许功耗PCM;IC