太阳电池生产中的工艺控制课案.ppt

太阳电池生产中的 工艺控制点 对于较低的等离子功率，需要较长的刻蚀时间。如果刻蚀不足，电池的并联电阻会下降，对这种情况需要增加功率或延长刻蚀时间。如果刻蚀时间长到足以对电池片的正反面造成损伤，由于这不可避免地会造成损伤延伸到正面结区，因而也会使理想因子“n”增加。如果刻蚀时间过长，会因损伤区域的高复合而使得开路电压和短路电流降低。 等离子功率太低会使等离子体不稳定和分布不均匀，从而造成某些区域刻蚀过度而某些区域刻蚀不足，导致并联电阻下降。开路电压的分布测量是检验该问题的有效方法，如边缘刻蚀不足，则接近边缘区域时，开路电压会降低很大（甚至低到200mV）；而正常情况下，该下降应比较小。 钝化减反膜的作用和要求　 表面平整的硅片在很宽的波长范围（400～1050nm）内对入射光的反射均高于30%。该反射可以通过表面绒面来降低。但是，一方面，金字塔绒面只能在特定取向（接近100晶向）的硅片上实现，减反的效果只能低到接近10%；另一方面，对于不适合于绒面制备的硅片、因其它考虑要求平表面硅片的电池或为了进一步降低反射，需要在硅片表面制备一层或多层介质膜。 介质膜的种类及制备方法有多种，比如真空加热沉积、化学气相沉积、丝网印刷、溅射、电子束蒸发、离心甩胶甚至喷镀等等。考虑到介质膜的质量及生产成本，最常用的减反介质膜是氮化硅和二氧化钛，前者主要采用化学气相沉积，而