【2017年整理】集成光学器件的材料.pptVIP

第七章四节 集成光学器件的材料;集成光学是以光的形式发射、调制、控制、和接收信号，集光信号的处理功能为一身的新一代集成光学器件。 其最终目的是代替目前的电子通信手段，实现全光通讯。;Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd.; 光子集成用材料的共同要求;半导体材料;间接带隙半导体材料 直接带隙半导体材料;间接带隙半导体材料---Si;SOI光波导 (Silicon-on-Insulator, 绝缘体上硅);SOI光波导特点;直接带隙半导体材料;表7.1 InGaAsP材料体系主要参数;表7.2 纤锌矿型GaN、AlN材料体系主要特性;?相的GaN为直接带隙半导体，Eg=3.39eV InxGa1-xN的Eg=1.95~3.39eV； AlxGa1-xN的Eg=3.39~7.28eV；均为直接带隙半导体材料。是紫外LED、LD的主要材料。 主要问题： 衬底材料为Al203（蓝宝石）和SiC，异质外延生长 高的缺陷密度 缺乏解理面（国家“863”计划—VCSEL） InGaN/GaN量子阱的发光机理不清，热电、压电 等理论和实验均有许多问题有待解决 ;表7.3 闪锌矿型GaN、AlN材料体系主要特性;7.3 介质材料（dielectric material ）;LiNbO3和LiTaO3晶体;6.1 典型材料与制作技术; 材料与制作方法的选择需遵循下述原则： 波导层厚度和折射率的误差要小且均匀； 传输损耗小，即光学透明度好，表面凹凸小，光学散射少； 在晶体情况下，纯度和光轴符合要求； 强度大，与衬底附着性好； 工艺重复性好。;Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd.;各种制作方法特点;加热蒸发淀积法：在高真空状态下，将蒸发材料加热使之蒸发，蒸汽分子到达衬底表面淀积下来，形成薄膜，所以该方法也称为真空蒸发镀膜法。随着蒸发的材料不同，加热的方法也不同。通常，低熔点的材料采用电阻加热蒸发法，高熔点的材料采用电子束加热蒸发法。;溅射法：使溅射气体（一般为惰性气体）通过放电而等离子化，位于等离子体中的靶材由于正离子的轰击，靶材的原子被打出，这些原子淀积在衬底上而形成薄膜。 溅射法特别适用于难于用加热蒸发淀积法制作薄膜的高熔点材料。 上述溅射法中采用的是不与靶材发生反应的惰性气体作为溅射气体，如果改用能够与靶材发生反应的气体作为溅射气体，就会得到二者的化合物薄膜，称为反应溅射法。;化学气相沉积法（CVD）：以某种气体为原料，通过化学反应，在衬底上淀积薄膜。 聚合法：将单体在真空中加热使之蒸发，同时通过加热、电子束照射、紫外线照射或者等离子体照射的方法，使单体蒸汽在衬底表面淀积下来并且聚合形成薄膜。 热扩散法：先将需要进行热扩散的材料淀积在衬底的表面，然后放入高温炉中，使淀积材料扩散进衬底中，在衬底表面形成一层折射率略高的扩散层。扩散材料随纵向深度的浓度分布是从大到小的平滑分布，又称为内扩散。; 与内扩散法相对应的是外扩散法。外扩散法是将衬底加热，使衬底内部的物质往外部扩散出去，以制作高折射率层。 离子交换法：将衬底浸入某种溶液中，通过衬底中的离子与溶液中的离子之间的交换，在衬底的表面附近制作高折射率的方法。 离子注入法：将离子加速注入衬底引起晶格缺陷，从而得到高折射率层。 外延生长法：将晶格结构与衬底相同、晶格常数与衬底相近的材料，以液态（液相外延法）或者气态（气相外延法）与衬底晶体接触，就会在形成结晶状薄膜。;Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd.;Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd.