【2017年整理】静电场的描绘.docVIP

实验十 DC-A型导电微晶静电场测试仪 在一些科学研究和生产实践中，往往需要了解带电体周围静电场的分布情况。一般来说带电体的形状比较复杂，很难用理论方法进行计算。用实验手段直接研究和测绘静电场通常也很困难。因为仪表（或其探测头）放入静电场，总要使被测场原有分布状态发生畸变；而且除静电式仪表之外的一般磁电式仪表不能用于静电场的直接测量，因为静电场中不会有电流流过，对这些仪表不起作用。所以，人们常用“模拟法”间接测绘静电场的分布。 一、实验目的 实验仪器 图-1 DC－A型描绘仪 DC-A型导电微晶静电场主要性能及参数 1、银电极，烧结在导电微晶上，导电性能好。 2、导电微晶表面电导率分布较均匀。 3、供电电源为直流稳压电源，输出电压稳定，可调。并具有过载自动保护能力。由数显表直接显示输出电压值，范围1.2-10V。 4、测量端是一高阻抗的数显电压表，分辨率为10mV。 三、实验原理 而对于稳恒电流场，电流密度矢量Ｊ在无源区域内也满足类似的积分关系： 由此可见，E和J在各自区域中满足同样的数学规律。若稳恒电流场空间内均匀地充满了电导率为б的不良导体，不良导体内的电场强度Ｅ′与电流密度矢量J之间遵循欧姆定律: J=σＥ′ 因而,E和Ｅ′在各自的区域中也满足同样的数学规律.在相同边界条件下,由电动力学的理论可以严格证明:象这样具有相同边界条件的相同方程,其解也相同。因此,我们可以用稳恒电流场来模拟静电场。也就是说静电场的电力线和等势线与稳恒电流场的电流密度矢量和等位线具有相似线的分布，所以测定出稳恒电流场和电位分布也就求得了与它相似的静电场的电场分布。 1、模拟长同轴圆柱形电缆的静电场 利用稳恒电流场与相应的静电场在空间形式上的一致性，则只要保证电极形状一定，电极电位不变，空间介质均匀，在任何一个考察点，均应有“U稳恒=U静电”或“E稳恒=E静电”。下面以同轴圆柱形电缆的静电场和相应的模拟场——稳恒电流场来讨论这种等效性。 如图2（a）所示，在真空中有一半径为ra的长圆柱形导体A和一个内径为rｂ的长圆筒形导体B，它们同轴放置，分别带等量异号电荷。由高斯定理可知，在垂直于轴线的任一个截面S内，都有均匀分布的辐射状电力线，这是一个与坐标Z无关的二维场。在二维场中电场强度E平行于xy平面，其等位面为一簇同轴圆柱面。因此，只需研究任一垂直横截面上的电场分布即可。 图2同轴电缆及其静电场分布 距轴心Ｏ半径为ｒ处（见图2b）的各点电场强度为: 式中λ为A(或B)的电荷线密度。其电位为： （1） 若r=rb时Ub=0,则有 代入式(1)得: （2） 距中心r处场强为: （3） 若上述圆柱形导体A与圆筒形导体B之间不是真空,而是均匀地充满了一种电导率为σ的不良导体,且A和B分别与直流电源的正负极相连，见图（3），则在A、B间将形成径向电流，建立起一个稳恒电流场Er′。可以证明不良导体中的电场强度Er′与真空中的静电场Er是相同的。 取厚度ｔ的圆柱形同轴不良导体片来研究。设材料的电阻率为ρ(ρ=1/σ),则从半径为r的圆周到半径为r+dr的圆周之间的不良导体薄块的电阻为: （4） 半径r到rb之间的圆柱片电阻为: （5） 图3 同轴电缆的模拟模型 由此可知,半径ra到rb之间圆柱片的电阻为: （6） 若设Ub=0，则径向电流为 （7） 距中心ｒ处的电位为： （8） 则稳恒电流场E′r为 （9） 可见式（8）与式（9）具有相同形式，说明稳恒电流场与静电场的电位分布函数完全相同，即柱面之间的电位Ur与lnr均为直接关系,并且Ur/Ua即相对电位仅是坐标的函数,与电场电位的绝对值无关。显而易见，稳恒电流的电场Ｅ′与静电场Ｅ的分布也是相同的，因为： 实际上，并不是每种带电体的静电场及模拟场的电位分布函数都能计算出来，只有在σ分布均匀而且几何形状对称规则的特殊规则的特殊带电体的场分布才能用理论严格计算。上面只是通过一个特例，证明了用稳恒电流场模拟静电场的可行性。 为什么这两种场的分布相同呢？我们可以从电荷产生场的观点加以分析。在导电质中没有电流通过时，其中任一体积元（宏观小，微观大，即其内仍包含大量原子）内正负电荷数量相等，没有净电荷，呈电中性。当有电流通过时，单位时间内流入和流出该体积元内的正或负电荷数