第6章结型场应晶体管.pptVIP

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2017-06-11 发布于河南
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第6章结型场应晶体管.ppt

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第6章结型场应晶体管

第六章结型场效应晶体管;6.1 pn结场效应晶体管（JFET）;6.1.1 JFET器件基本工作原理;6.1.2 JFET器件器件类型和代表符号;6.1.3 JFET器件分析--源极接地，漏极上加小的偏压VD ;公式推导;讨论;6.1.4 JFET器件分析--源极接地，漏极上加大的偏压VD;当漏端电压相对源端较高时，JFET沟道中耗尽区宽度沿沟道方向发生变化;电流电压关系推导;JFET中耗尽区性质—漏极电压较小时;JFET中耗尽区性质—漏极电压为饱和电压时;JFET中耗尽区性质—漏极电压大于饱和电压时;JFET的输出特性曲线;JFET的转移特性曲线;6.1.5 JFET参数;漏极饱和电压;漏极饱和电流;关断电压VT（Vp）;最小沟道电阻Rmin;栅极截止电流IGSS和栅极输入电阻RGS;漏源击穿电压BVDS;输出功率PO;跨导gm;;6.2 金属-半导体场效应晶体管（MESFET）;6.2.1 MESFET结构的发展过程 ;最初结构;添加一缓冲层;掺入重掺杂的N+层;凹槽结构;6.2.2 MESFET的栅结构 ;半绝缘结构;缓??层结构;埋栅结构;自对准结构;双栅结构;6.2.3 GaAs MESFET结构;普通的GaAs MESFET结构;有凹栅的GaAs MESFET结构;V型槽JFET