G电子技术基础-第3章_场效应晶体管放大电路分析.pptVIP

第3章 场效应管放大电路 场效应管FET与三极管BJT的区别 3.1、结型场效应管JFET 3.2、绝缘栅场效应管MOS 3.3 场效应管的主要参数 3.4 场效应管放大电路 2、微变等效电路 3.4.2 共漏组态基本放大电路 3.4.3 共栅组态基本放大电路 Chap 第3章场效应晶体管放大电路 成都理工大学工程技术学院 自动化工程系 雷永锋 2013 Sect 3.1、结型场效应管 3.2、绝缘栅场效应管MOS 3.3 场效应管的主要参数 3.4 场效应管放大电路 Sect 1. BJT: 是 电流控制元件； FET: 是电压控制元件。 2. BJT 参与导电的是电子—空穴，因此称其为双极型器件； FET 是电压控制元件，参与导电的只有一种载流子，称为单级型器件。 3. BJT 输入电阻较低，一般102~104?；FET 输入电阻高，可达109~1014? 场效应管的分类 结型场效应管JFET MOS型场效应管MOSFET 双极型三极管 场效应三极管 噪声 较大 较小 温度特性 受温度影响较大 较小，可有零温度系数点 输入电阻 几十到几千欧姆 几兆欧姆以上 静电影响 不受静电影响 易受静电影响 集成工艺 不易大规模集成 适宜大规模和超大规模集成 Sect 3.1.1、结构与工作原理 漏极 D 集电极 C 栅极 G 基极 B 源极 S 发射极 E 导通条件： UGS ? 0 UBE ? 0 UDS ? 0 UBC ? 0 1) 在一定UDS作用下, 栅源极电压 为负, 栅源极勾道通, UGS决定 电流 iD 的大小 2) 沟道中只有一种截流子—— 单极型晶体管 1、结构 Drain Gate Source 2. JFET工作原理 N沟道结型场效应三极管只能工作在负栅压区，P沟道的只能工作在正栅压区， 当UGS=0时， 沟道较宽，在UDS的作用下N沟道内的电子定向运动形成漏极电流ID。 当UGS＜0时，PN结反偏，PN结加宽，漏源间的沟道将变窄，ID将减小， 当UGS继续向负方向增加，沟道继续变窄，ID继续减小直至为0。 当漏极电流为零时 所对应的栅源电压UGS称为夹断电压UP。 P+ P+ N G S D UDS ID D P+ P+ N G S UDS ID UGS 预夹断 UGS=UP 夹断状态 ID=0 Sect 导电沟道 3.1.2 JFET特性曲线 UP 转移特性曲线 输出特性曲线 Sect ∣ 1. 输出特性曲线： 可变电阻区 线性放大区 ID=gm UGS 击穿区 IDSS：饱和栅极漏极电流, UGS=0 UP： 预夹断电压, iD=0 UT： 开启电压, 不通转通 2. 转移特性曲线： UT Sect 3.2.1. N沟道增强型MOS场效应管 漏极D→集电极C 源极S→发射极E 栅极G→基极B 衬底B 电极—金属 绝缘层—氧化物 基体—半导体 称之为MOS管 类型： N沟道 增强型 P沟道 耗尽型 退出 1. 结构和工作原理 当UGS较小时，虽然在P型衬底表面形成 一层耗尽层，但负离子不能导电。 当UGS=UT时, 在P型衬底表面形成一层 电子层，形成N型导电沟道 在UDS的作用下形成ID。 UDS ID + + - - + + - - + + + + - - - - UGS 反型层 当UGS=0V时，漏源之间相当两个背靠背的PN结，无论UDS之间加上电压 不会在 D、S间形成电流ID,即ID≈0. 当UGSUT时, 沟道加厚，沟道电阻 减少，在相同UDS的作用下 ID将进一步增加 开始无导电沟道，当在UGS?U