第三章 场效应管 g.pptVIP

共栅放大器 vs + - RL + - vo R?S RS RD vi + - vs + - RL + - vo R?S RS RD gmvgs ii io + - vi g s Ri? i?i 因为 所以 而 共漏放大器 RG vs + - RL + - vo RS + - vi R?S g R?S RG vs + - RL + vo RS + - vi rds - gmvgs s 经推导 FET三种组态电路性能比较 小 大 小 大 大 ?1 大 大 大 RD RG vs + - RL + - vo RS + - vi R?S vs + - RL + - vo R?S RS RD vi + - RG vs + - RL + - vo RS + - vi R?S 共源 共栅 共漏 Ri Ro Av * * * * 数学模型： 若考虑沟道长度调制效应，则ID的修正方程： 工作在饱和区时，MOS管的正向受控作用，服从平方律关系式： 其