第02章 光电检测技术基础.pptVIP

* 光信息科学与技术系 * 与光电效应的区别：光电效应中，光子能量直接变为光电子的能量，光热效应中，光能量与晶格相互作用使其运动加剧，造成温度的升高，从而引起物质相关电学特性变化。 光热效应 可分为:热释电效应、辐射热计效应及温差电效应 1、 热释电效应 介质温度在光照作用下温度发生变化，介质的极化强度随温度变化而变化，引起表面电荷变化的现象。 * 光信息科学与技术系 * 物理本质：极化晶体 极化晶体：在外电场和应力为零情况下自身具有自发极化的晶体，原因是内部电偶极矩不为零，表面感应束缚电荷。 + - + - + - + - + - + - _ _ _ _ _ _ P(T1) P(T2) + - + - + - + - + - + - _ _ _ j 工作温度T1（左）和工作温度T2T1（右） 极化晶体表面束缚电荷，被周围自由电荷不断中和，表面无电荷。光照时，晶体温度升高，电偶极子热运动加剧，极化强度减弱，表面感应电荷数减小，但中和过程（达数秒）要远大于极化强度的响应过程（10-12s），相当于释放了一些电荷，对外表面为电流。可以在这些电荷被中和之间测量到。 * 光信息科学与技术系 * 热释电现象中：温度对自发极化强度的影响。 Tc P T O Tc P T O 极化晶体的极化强度与温度T的关系：一级相变（左）和二极相变（右） 随着温度的升高，自发极化强度越来越弱，当达到一定温度时，自发极化强度为零，极化晶体发生相变为非极化晶体。 * 光信息科学与技术系 * 2、 辐射热计效应 入射光照射材料由于受热而造成电阻率变化的现象称为辐射热计效应。由温度引起电阻率变化。 阻值与温度变化关系： ΔR=αTRΔT αT为电阻温度系数 R为元件电阻 当温度变化足够小时， αT=1/R*dR/dT 对金属材料，R=BT，则αT=1/T，呈反比关系。 对半导体材料，R与T具有指数关系，则αT=-B/T2。说明温度越高，电阻温度系数越小。B为常数，典型值3000K。 * 光信息科学与技术系 * 3、 温差电效应 由两种不同材料制成的结点由于受到某种因素作用而出现了温差，就有可能在两结点间产生电动势，回路中产生电流，这就是温差电效应。 当有光照结点产生温度变化就会产生温差电现象。 另外，如果在图中x，y处接一电动势，导体中产生电流，两个接点1和2处就会出现一个吸热一个放热的现象。 吸（放）热速率：dθp/dt=πI，π称为帖耳帖系数 x y T1 T2 1 2 导体a 导体b * 光信息科学与技术系 * 光电检测器件的特性参数 光电检测器件利用物质的光电效应把光信号转换成电信号的器件，它的性能对光电检测系统影响很大。根据工作机理的不同，可分为光子检测器件和热电检测器件。 热电检测器件 热释电检测器（热释电效应） 热敏电阻（辐射热计效应） 热电偶和热电堆（温差电效应） 分类 * 光信息科学与技术系 * 光子检测器件 电真空或光电发射型检测器件 固体或半导体光电检测器件 光电管 光电倍增管 光导型：光敏电阻 光伏型： 光电池 光电二、三极管 光子检测器件（即通常意义上的光电检测器件）分类： * 光信息科学与技术系 * 热敏检测器件的特点： 1、响应波长无选择性。对各种波长具有相同的敏感性。 2、响应慢。即吸收辐射后产生信号所需时间长，在毫秒量级 光子检测器件的特点： 1、响应波长有选择性。存在截止波长。 2、响应快。一般为纳秒到几百微秒 * 光信息科学与技术系 * 特性参数 1、响应度（或称灵敏度）S 电压响应度：SV=Vo/Pi 电流响应度：SI=Io/Pi 其中：Vo和Io分别为光电检测器输出电压和输出电流。P为入射光功率（或用通量Φ表示）。 2、光谱响应度S(λ) 光谱响应度：S(λ)=Vo/Φ(λ) (V/W) S(λ)=Io/Φ(λ) (A/W) Φ(λ)为入射的单色辐射通量或光通量。 * 光信息科学与技术系 * 3、积分响应度S 表示检测器对各种波长的辐射光连续辐射通量的反应程度，光电检测器件输出的电流或电压与入射光通量之比。 各种辐射波长的总光通量为：Φ=? 不同波长光辐射引导的总输出光电流Io=? 则积分响应度S=？ 式中λ0和λ1分别为光电检测器的长波限和短波限。 * 光信息科学与技术系 * 4、响应时间τ： 响应时间是描述光电检测器对入射辐射响应快慢的参数。即入射光辐射到检测器后或入射光被遮断后，光电检测器件输出上升到稳定值或下降到照射前的值所需要的时间。 当一个辐射脉冲照射光电检测器时，如果这个脉冲上升和下降时间很短，则光电检测器由于惰性而有延迟。 上升时间τr和下降时间τf 矩形光脉冲 入射光