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第8章 半导体表面和MIS结构;本章重点： 表面态概念 表面电场效应 硅-二氧化硅系统性质 MIS结构电容-电压特性 表面电场对pn结特性的影响 ;8.1表面态;悬挂键所对应的电子能态就是表面态 实际表面由于薄氧化层的存在，使硅表面的悬挂键大部分被二氧化硅层的氧原子所饱和，表面态密度大大降低。 此外表面处还存在由于晶体缺陷或吸附原子等原因引起的表面态；这种表面态的数值与表面经过的处理方法有关。;测量表明硅表面能级分两组，一组是施主能级，靠近价带；一组位受主能级，靠近导带。 ;8.2表面电场效应;Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd.;8.2.1空间电荷层及表面势;以p型半导体为例： 1.多数载流子堆积状态 金属与半导体表面加负压，表面势为负，表面处能带向上弯曲。 2.多数载流子耗尽状态 金属与半导体表面加正压，表面势为正，表面处能带向下弯曲，表面处空穴远低于体内空穴浓度。;Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty