七三五族化合物半导体.pptVIP

半导体材料;外延生长;薄膜制备技术 ; 经过数十年的发展，CVD已经成为半导体生产过程中最重要的薄膜沉积方法。PVD的应用大都局限在金属膜的沉积上；而CVD几乎所有的半导体元件所需要的薄膜，不论是导体，半导体，或者介电材料，都可以沉积。 在目前的VLSI及ULSI生产过程中，除了某些材料还在用溅镀法之外，如铝硅铜合金及钛等，所有其他的薄膜均用CVD法来沉积。;物理气相淀积(PVD);;化学气相沉积（CVD）也称为气相外延 （Vapor－phase epitaxy，VPE）， 是通过气体化合物间的化学作用而形成外延层的工艺，CVD工艺包括 常压化学汽相淀积(APCVD)(Atmospheric pressure CVD) 低压化学汽相淀积(LPCVD) 等离子增强化学汽相淀积(PECVD)(Plasma Enhanced CVD) 金属有机化学气相沉积（MOCVD） 激光化学气相沉积等;CVD法的基本原理和过程 化学气相沉积是利用气态物质在一固体材料表面上进行化学反应，生成固态沉积物的过程。CVD在本质上是一种材料的合成过程，其主要步骤有： （1）反应剂被携带气体进入反应器后，在基体材料表面附近形成边界后，然后在主气流中的反应剂越过边界扩散型材料表面。 （2）反应剂被吸附在基体材料表面，并进行化学反应。 （3）化学反应生成的固态物质，即所需要的沉积物，在