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NAND FLASH 烧录说明(D2800) （中文版REV1.00） 本文档是引导客户如何正确使用D2800系列编程器烧录NAND Flash,可以满足客户在研发和生产中遇到的NAND Flash烧录的一般需求。 本文档版权归苏州诺动力电子科技有限公司( SuZhou Nowotek Electronic Co., Ltd.)所有，受《中华人民共和国著作权法USB接口独立式智能极速通用编程器OEMReserved的处理。 D2800烧录每1Gbit仅需125秒，部分芯片时间甚至小于60秒。其中烧录过程包括Erase + Program + Verify. 第二章 关于NAND Flash NAND FLASH是一种易失闪存技术NAND是高数据存储密度的理想解决方案。OR FLASH相比。NAND FLASH具有以下的特点：1) NAND FLASH同NOR FLASH相比，NAND FLASH有着容量大、价格低等优势。2)存在坏块。由于NAND生产工艺的原因，出厂芯片中会随机出现坏块。坏块在出厂时已经被初始化，并在特殊区域中标记为不可用，在使用过程中如果出现坏块，也需要进行标记。3) 易出现位反转。NAND FLASH更易出现位反转的现象，如果位反转出现在关键文件上，会导致系统挂机。所以在使用NAND FLASH的同时，建议使用ECC/EDC算法确保可靠性。4) 存在Spare区。正因为NAND FLASH有着上面的两项特殊的地方，Spare区就扮演作存放坏块标志，ECC值以及芯片信息和文件信息的作用。5) 多维的空间结构。NAND FLASH一般由block，page，sector等结构组成。所以在有的文件系统中就衍生出各种分区信息和扇区信息等。 第三章 D2800下对NAND FLASH 的坏块处理 NAND FLASH的坏块处理方式有很多，不同的方案公司或者系统提供商都会选择不同的坏块处理方法，来满足产品开发的需要，目前我们公司已经根据客户的要求，解决了近百种的坏块处理方案。并且将常用的三种坏块处理方案，集成到烧录算法里面。 本文档以K9F1208U0B为例，详细阐述了D2800下NAND FLASH的烧录方法。 1.烧录软件概述。 选择好K9F1208U0B后，将出现下图(Figure 1)。 (Figure 1) (Figure 2) 在主软件界面中，提示1列出了NAND烧录拥有的正常操作， 从上到下包括：自动批处理(Auto),编程写入(Program),读出数据(Read),校验(Verify),空检查(Blank_Check),擦除(Erase),启动代码块检查(Boot Block Check)。 其中自动批处理(Auto)必须在提示4(Edit Auto)中设置好才能运行。启动代码块检查(Boot Block Check)在提示2中设置启动代码所占块(Blocks)的范围。 提示2(Dev.Config)是NAND Flash烧录的配置中心，坏块处理方法，ECC,设置烧录范围，启动代码范围等的设置都在这个选项里面。 提示3是烧录软件的信息输出区，算法的有关信息，烧录过程的有关信息和烧录出错信息都在这个区域打印输出。 2．NAND Flash 的坏块和坏块标志。 由于制造工艺的原因，NAND Flash?在 (Figure 5) 采用这种烧录方法，要关注提示2的设置，以便对NAND的存储区域进行更灵活的访问。 其中UBA start blk(hex): 指定文件从那个块开始烧录，Size of UBA blks(hex): 的内容表示烧录的文件占用多少个好块， 例如：烧录芯片K9F1208U0B，烧录的文件包含spare区的内容。烧录文件的大小为19M整,烧录的起始块为第0块。K9F1208U0B为小页模式的NAND,每个块包含spare区的大小为0x4200Bytes = 16896(dec)Bytes。那么要烧写的block = 19*1024*1024/16896 = 1179.15，取整为1180(dec) = 0x49C.所以UBA start blk(hex): 0000, Size of UBA blks(hex): 0x49C。 注：如果小页模式不包含spare区的内容，则每个块的大小为0x4000Bytes. 大页模式包含spare区的内容，每个块的大小为0x21000Bytes,大页模式不包含spare区的内容，每个块的大小为0x20000. 采用这种烧录方法的话，坏块标志位是不允许写成非“0xFF”或者“0xFFFF”(16bit)，所以在缓冲区(buffer)中的数据,在烧录过程中，坏块标志为都被强制改写0xFF或者0xFFFF。 具有OEM Reserved值的情况下，