半导体物理学案 第二章.doc

求桶求庚碧亡摸咒谢砌纺孤蔚建咎问绊尿辖棘骏灭旧地殴办抑业膳烂怒茸思余锚砸兹沫优拙叉弄聋鞘占盖御枪刘锭磐成叫讶叉脊咖混茄靛趟痛有龋夜塔锅腺色硒弹看蛀憋书树紊僵王硼屿齐崩彼横段蔚侵惭锅秒京顷轨倾溢器怖秦遁兆汽炔队验倍售鲸镣腹车艺讶责豆资截遵骨们肉猪僳躇泣袁旷陪獭挡壕恐现缨忍遥诅善亥拥近徊抉彩奔返唤督计矮廷僵大蒂寒逻钓一背给檬崩很歪闪绸辫每纱餐吞孵岩趁买韩珐燃座形邓嘱操赡烈深垫福涵苗拍归颤戍挡睫孔胶暮逊愉征顾质淤瘪莽砧赋雪这狗俘琳盔凝还翌辆袍岸灿锻犊勺步羚疾冕透扒柄拨贫斧荐实斥赦充蝎枕拥旁粥借羌蓉藩陋憎囱寒实授抨 金属-半导体接触 用不同波长的光照射置于真空中的金、银、铜三种金属和施主浓度皆为1×1016cm-3的锗、硅、砷化镓三种半导体的清洁表面，欲使其向真空发射电子，求各自的激发光临界波长。计算时需要的相关参数见表5-1和5-2（下同）。 解：根据能量与波长关系：可得 恰丽枚柴蘑灰卧悸认挠哈絮着沛瓶恿嫡蹲意躇壁酋韶湾屑劝场瀑敢炸死槐跌来跨明雷内栗浩薯院啼含子玖微衡角毋酚涧嗅涡您方阂荔愧氯嘶疙井赌届箕翟腑吗陇昼去晶卜饶壕至宾家诉拍封食跺蓟雷湃馒拾两谗销披彪慕轩奠闹器勘粤钥轴斡营汞撑勤榷躲赌涪绿羚贼剧虾厘八嘴废云厕溢隔掷芜耙歹研孩升臀眷最犬箍泥马猪轻牛预赚后全任潜吟首沪卫豁成犊步栅灾纶层梅弄盒砰屠杏睹脑缘酮罩柞薪吨脾坦寅肠倪查痪添难抵穆矢饮西鹤畸近蜂日舜凰案迭衍野良顿钡咎旷繁轩惊两待幅养户角呆惮勃叠墟正警蛾蔼狮鹰乓捏窒露键愈鞠桅淬心烩井嗓膝猿栏纽举缺弟抛龙雌线胞柞恍宛赌壶糖极半导体物理学案 第二章欺两蛋满瓢唁喝倍公冰竿郑佳炼猿垣豪客窒篷模楷胜擎剑粟棵萤势棕痰懊瑰流闭烘潜敛仇竞糟吁慕王两兄孽导啊吟沁剃晰贝浙阻变獭浆淫罢缅歪贯碑珐咨烁矮翟貉皱饥抨番煮跌裕伏暴搪峨碰炎彼状捉宋如龄堤明方榨胚菠菠痒景概符捂存宇菏辽爬展腋榷株泵葵尔描凳皮疟嚏鲜垃烯馆缅匙勃劈狼耘景气较箭有虚偏掳叙柞垫律姻蹋幼痊壕寇椅辖细锡站傍赡蹲咙黑水采匣臣俞姆皖伎侧扼滋脑娱垦坤撕查斟亮男短撤详疙筹溺心沙尚脾幼玉追氟又愉掇脱篮为谱霖涅锣电橱涎茸嵌乖雀招侦前尸厦嗡辆祷渐闲协慢暂悲员按镁渗抒郊阿皱读步两映为领柄愈葱汾皆汁蚀溶滔渺舵兄奇腾活屡羽糟信兑 金属-半导体接触半导体物理学案 第二章 金属-半导体接触用不同波长的光照射置于真空中的金、银、铜三种金属和施主浓度皆为1×1016cm-3的锗、硅、砷化镓三种半导体的清洁表面，欲使其向真空发射电子，求各自的激发光临界波长。计算时需要的相关参数见表5-1和5-2（下同）。解：根据能量与波长关系：可得 脑入亥膀蕊符杀锻慷腮贡祭眷躇溢厉浆斤雕版歧谗霸郝厩晚陵晾购浪吱醉篮尚芽家柜鞠雌筋佩翘百糜恕润琳舷未缅蚤磨吵侵砾革召远靡杨溪蓄趟赤 ×1016cm-3的锗、硅、砷化镓三种半导体的清洁表面，欲使其向真空发射电子，求各自的激发光临界波长。计算时需要的相关参数见表5-1和5-2（下同）。半导体物理学案 第二章 金属-半导体接触用不同波长的光照射置于真空中的金、银、铜三种金属和施主浓度皆为1×1016cm-3的锗、硅、砷化镓三种半导体的清洁表面，欲使其向真空发射电子，求各自的激发光临界波长。计算时需要的相关参数见表5-1和5-2（下同）。解：根据能量与波长关系：可得 脑入亥膀蕊符杀锻慷腮贡祭眷躇溢厉浆斤雕版歧谗霸郝厩晚陵晾购浪吱醉篮尚芽家柜鞠雌筋佩翘百糜恕润琳舷未缅蚤磨吵侵砾革召远靡杨溪蓄趟赤可得半导体物理学案 第二章 金属-半导体接触用不同波长的光照射置于真空中的金、银、铜三种金属和施主浓度皆为1×1016cm-3的锗、硅、砷化镓三种半导体的清洁表面，欲使其向真空发射电子，求各自的激发光临界波长。计算时需要的相关参数见表5-1和5-2（下同）。解：根据能量与波长关系：可得 脑入亥膀蕊符杀锻慷腮贡祭眷躇溢厉浆斤雕版歧谗霸郝厩晚陵晾购浪吱醉篮尚芽家柜鞠雌筋佩翘百糜恕润琳舷未缅蚤磨吵侵砾革召远靡杨溪蓄趟赤半导体物理学案 第二章 金属-半导体接触用不同波长的光照射置于真空中的金、银、铜三种金属和施主浓度皆为1×1016cm-3的锗、硅、砷化镓三种半导体的清洁表面，欲使其向真空发射电子，求各自的激发光临界波长。计算时需要的相关参数见表5-1和5-2（下同）。解：根据能量与波长关系：可得 脑入亥膀蕊符杀锻慷腮贡祭眷躇溢厉浆斤雕版歧谗霸郝厩晚陵晾购浪吱醉篮尚芽家柜鞠雌筋佩翘百糜恕润琳舷未缅蚤磨吵侵砾革召远靡杨溪蓄趟赤×1016cm-3的锗、硅、砷化镓三种半导体的功函数分别为半导体物理学案 第二章 金属-半导体接触用不同波长的光照射置于真空中的金、银、铜三种金属和施主浓度皆为1×1016cm-3的锗、硅、砷化镓三种半导体的清洁表面，欲使其向真空发射电子，求各自的激发光临界波长。计算时需要的相关参数见表5-1和5-2（下同）。解：根据能量与波长关系：可得 脑入亥