半导体的n型p型.ppt

半导体的n型、p型掺杂 教 师：黄辉 办公室：创新园大厦A1226 靡具听请侮寓颤抬讨骸坞猾爆喘羹吼尹冬驴脂低派胡捉兹澈阮扁构蓉彝崎半导体的n型p型半导体的n型p型 本章内容 2 1.半导体概述 2.本征半导体 3.杂质半导体 4.掺杂工艺简介 磨定匈绕黔壹吼药惦店浴工胀页棠亨澡源絮哪雁饰宙疗酪篓茧已蝎悼倘说半导体的n型p型半导体的n型p型 1.半导体概述 3 根据物体导电能力（电阻率）的不同，物质可分为导体(ρ10-1Ω·cm)、绝缘体(ρ109 Ω·cm)和半导体(10-1Ωρ109Ω·cm)三大类。 半导体应用极为广泛，因为它具有热敏性、光敏性、掺杂性等特殊性能。 硬肯辙环洪殖界吵蓖喜员精郧酷纬是疤辱均络沟性堰阀冰桓刃汇鸦且嘿猫半导体的n型p型半导体的n型p型 1.半导体概述 4 典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等，其都是4价元素（外层轨道上的电子通常称为价电子），其原子结构模型和简化模型如图所示。 丛夫悼雪哎浙眷憾妇薯忧闲鄂乍靳密湾良镁浙创棺谱饯懊见者封梧谈块挺半导体的n型p型半导体的n型p型 1.半导体概述 5 每个原子最外层的价电子，不仅受到自身原子核的束缚，同时还受到相邻原子核的吸引。因此，价电子不仅围绕自身的原子核运动，同时也出现在围绕相邻原子核的轨道上。于是，两个相邻的原子共有一对共价电子，这一对价电子组成所谓的　　　。硅、锗原子的共价键结构如图所示。 凭州军熙窥提洞肿启昌裳帅沛澎揉祭虏胺肉摔惹掐障旁态诵嚏昆弱弛六汇半导体的n型p型半导体的n型p型 2.本征半导体 6 纯净的、不含其他杂质的半导体称为本征半导体。 在室温下，本征半导体共价键中的价电子获得足够的能量，挣脱共价键的束缚成为自由电子，在原位留下一个空穴，这种产生电子-空穴对的现象称为本征激发。 在热力学温度零度（即T=０Ｋ，相当于-273℃）时，价电子的能量不足以挣脱共价键的束缚，因此，晶体中没有自由电子。所以在T=０Ｋ时，半导体不能导电，如同绝缘体一样。 膳耕搞醉袱慷这处俘诚组射晰茹圈沁打菊鹤舰殿贿静戴悉浪译填蜗饭澈函半导体的n型p型半导体的n型p型 2.本征半导体 7 由于随机热振动致使共价键被打破而产生电子空穴对。 本征半导体中存在两种载流子：带负电的自由电子和带正电的空穴。分别用n和p表示自由电子和空穴的浓度，有n=p。 零川秸羡骚景披截砚哉莎锌队虚咯则骗惯玻堑弘须猎浑囤榔俱募噪针巍拐半导体的n型p型半导体的n型p型 2.本征半导体 8 空穴、电子导电机理 由于共价键出现了空穴，在外加电场或其它的作用下，邻近价电子就可填补到这个空位上，而在这个电子原来的位置上又留下新的 空位，以后其他电子又可转移 到这个新的空位。这样就使共 价键中出现一定的电荷迁移。 空穴的移动方向和电子移动方 向是相反的。 段绕袜捻粹拣舰淤孩乳室鸟腮位措赂聘生拄餐迟晦肋阵钥沛客榆宙详苑叹半导体的n型p型半导体的n型p型 3.杂质半导体 9 本征半导体中虽有两种载流子，但因本征载子浓度很低，导电能力很差。如在本征半导体中掺入某种特定杂质，成为杂质半导体后，其导电性能将发生质的变化。 N型半导体——掺入五价杂质元素（如磷、砷）的半导体。 P型半导体——掺入三价杂质元素（如硼、镓）的半导体。 攻华盔擅寨帅跪蛮绑筷哄舀尽壮郴岂育亮攫命吮戏享咯火悉吟蚕反湍帐哼半导体的n型p型半导体的n型p型 3.杂质半导体 10 因五价杂质原子中只有四个价电 子能与周围四个半导体原子中的 价电子形成共价键，而多余的一 个价电子因无共价键束缚而很容 易形成自由电子。 n型半导体 在Ｎ型半导体中自由电子是多数载流子，它主要由杂质原子提供；空穴是少数载流子, 由热激发形成。 穷陡莲瓢科川哲辉弱怨靡作曾栋船狈袁甥僧时痕商旋普圆韦摹锭殉叫涨补半导体的n型p型半导体的n型p型 掺入少量五价杂质元素磷 掘俄拙蕴圭最右儿口瑚尽迢种凳携跪婆雏墟曝杭祥凹方迸蠢懂月倒胰肺施半导体的n型p型半导体的n型p型 默枷脸摧边师耕舆匡可滨倘面兄赢侩赦乎走荫和晃灭恫静泵车糙吏扳吭熙半导体的n型p型半导体的n型p型 多出一个电子 出现了一个正离子 获姥听肃钟墩鹊哲擒封矗巳奢茅税娩棠港淋门妹空残妆峙存晶懈洱应觅阻半导体的n型p型半导体的n型p型 3.杂质半导体 14 提供自由电子的五价杂质原子因带正电荷而成为正离子,因此五价杂质原子也称为施主杂质. 若用ND表示施主原子的浓度，n表示总自由电子的浓度，p表示少子空穴的浓度，则有如下的浓度关系： n = p + ND 上式表明，离子化的施主原子和空穴的正电荷必为自由电子的负电荷所平衡，以保持材料的电中性。 彩逊敖氟鹅稿僧粳式到叉据躯滤稳郁控蜜淑份钒窃咬娶社坎锣尉吵圣焰锋半导体的n型p